- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Kabar
Pambuka kanggo Proses Implantasi Ion Silicon Carbide lan Annealing
Ing fabrikasi piranti listrik silikon tradisional, difusi suhu dhuwur lan implantasi ion minangka cara utama kanggo ngontrol dopan, saben duwe kaluwihan lan kekurangan. Biasane, difusi suhu dhuwur ditondoi kanthi kesederhanaan, efektifitas biaya, profil distribusi dopan isotropik, lan introduksi ker......
Waca liyane
Lapisan Epitaxial: Yayasan Piranti Semikonduktor Lanjut
Ing industri semikonduktor, lapisan epitaxial nduweni peran wigati kanthi mbentuk film tipis kristal tunggal sing spesifik ing ndhuwur substrat wafer, sing sacara kolektif dikenal minangka wafer epitaxial. Utamane, lapisan epitaxial silikon karbida (SiC) sing ditanam ing substrat SiC konduktif ngasi......
Waca liyane
Graphite keropos kanggo Pertumbuhan Kristal SiC
Saiki, umume manufaktur substrat SiC nggunakake desain proses lapangan termal crucible anyar kanthi silinder grafit keropos: nempatake bahan mentah partikel SiC kemurnian dhuwur ing antarane tembok crucible grafit lan silinder grafit keropos, nalika deepening kabeh crucible lan nambah diameter cruci......
Waca liyane
Peran Krusial Lapisan Epitaxial ing Piranti Semikonduktor
Wutah epitaxial nuduhake proses ngembangake lapisan monokristalin sing disusun kanthi kristal ing substrat. Umumé, pertumbuhan epitaxial kalebu budidaya lapisan kristal ing substrat kristal tunggal, kanthi lapisan sing tuwuh nuduhake orientasi kristalografi sing padha karo substrat asli. Epitaxy dig......
Waca liyane
