> Kabar

Kabar

Langkah-langkah utama ing pangolahan substrat SiC

Pangolahan substrat 4H-SiC utamane kalebu langkah-langkah ing ngisor iki:

Parameter Kunci Substrat Silicon Carbide (SiC).

Proses produksi Silicon Carbide (SiC) kalebu nyiapake substrat lan epitaksi saka sisih bahan, diikuti desain lan manufaktur chip, kemasan piranti, lan pungkasane, distribusi menyang pasar aplikasi hilir. Ing antarane tahapan kasebut, pangolahan materi substrat minangka aspek sing paling tantangan in......

Waca liyane

Silicon Carbide (SiC) Tungku Pertumbuhan Kristal

Wutah kristal minangka tautan inti ing produksi substrat Silicon Carbide, lan peralatan inti yaiku tungku pertumbuhan kristal. Kaya karo tungku pertumbuhan kristal silikon kelas tradisional, struktur tungku ora rumit banget lan utamane kalebu awak tungku, sistem pemanasan, mekanisme transmisi coil, ......

Waca liyane

Tantangan Aplikasi lan Pangembangan Komponen Grafit Dilapisi TaC

Bahan semikonduktor bandgap generasi katelu, kayata Gallium Nitride (GaN) lan Silicon Carbide (SiC), misuwur amarga konversi optoelektronik lan kemampuan transmisi sinyal gelombang mikro sing luar biasa. Bahan kasebut nyukupi syarat sing dibutuhake kanggo piranti elektronik frekuensi dhuwur, suhu dh......

Waca liyane

Aplikasi Silicon Carbide

Silicon carbide duwe akeh aplikasi ing industri berkembang lan industri tradisional. Saiki, pasar semikonduktor global wis ngluwihi 100 milyar yuan. Dikarepake yen ing 2025, dodolan global bahan manufaktur semikonduktor bakal tekan 39,5 milyar dolar AS, sing pasar semikonduktor karbida silikon sames......

Waca liyane

Apa SiC Boat, lan Apa Macem-macem Proses Manufaktur?

Prau SiC, cendhak kanggo prau silikon karbida, minangka aksesori tahan suhu dhuwur sing digunakake ing tabung tungku kanggo nggawa wafer sajrone pangolahan suhu dhuwur. Amarga sifat silikon karbida sing luar biasa kayata tahan suhu sing dhuwur, korosi kimia, lan stabilitas termal sing apik, kapal Si......

Waca liyane

<...13 14 15 16 17...30 >