Substrat Sik N-Tipe

Semikorex N-TypeSIC SubstratApa produk wafer paling dhuwur adhedhasar bahan semikonduktor generasi, sing dirancang kanggo nyukupi syarat-syarat sing sithik, dhuwur frekuensi, dhuwur frekuensi, dhuwur-daya lan dhuwur-efisiensi. Liwat teknologi pertumbuhan kristal lan teknologi pangolahan presisi, macem-macem listrik N-Tenyan, piranti lumahing lan piranti lumahing, lan piranti lumahing, lan perlengkapan listrik sing cocog, lan perlengkapan listrik lan persediaan daya 5G.

Compared with silicon-based semiconductors, wide bandgap semiconductors represented by silicon carbide and gallium nitride have outstanding performance advantages from the material end to the device end. Dheweke duwe ciri frekuensi dhuwur, efisiensi dhuwur, kekuwatan dhuwur, resistensi voltase dhuwur, lan resistensi suhu sing dhuwur. Dheweke minangka arah sing penting kanggo pangembangan industri semikonduktor ing mangsa ngarep. Antarane, landan Sik N-Tenyan nampilake sifat fisik lan kimia sing unik. Lebar Bandgap High, Kekuwatan Lapangan listrik tinggi, tingkat drift Ellift Elective Elektron lan konduktivitas termal saka silikon karbida kanggo aplikasi aplikasi kayata piranti elektronik. Karakteristik kasebut menehi kaluwihan silikon karbida ing lapangan aplikasi aplikasi kayata EV eV lan fotovoltik, utamane babagan stabilitas lan daya tahan. Subters Sik N-Tenyan duwe potensial aplikasi pasar sing amba ing piranti semikonduktor, piranti semikonduktor radio lan kolom aplikasi berkembang. Substrat SIC bisa digunakake kanthi akeh ing piranti semikonduktor, piranti semikonduktor radio, lan produk hilir kayata gelombang optik kayata relipguides optik, lan compon buyar panas. Industri aplikasi utama kalebu sistem panyimpenan fotovoltaic, listrik, komunikasi, komunikasi, gelas ai, telpon pinter, laser semikonduktor, lsp.

Piranti semikonduktor daya minangka piranti semikonduktor digunakake minangka switchtor utawa rectifier ing produk elektronik daya. Piranti semikonduktor utamane kalebu diizer daya, tenaga daya, teyror, mosis, igbts, lsp.

Range Cruise, Kacepetan Ngisi daya, lan pengalaman nyopir minangka faktor penting kanggo EV. Compared with traditional silicon-based power semiconductor devices such as silicon-based IGBTs, N-type SiC substrates power semiconductor devices have significant advantages such as low on-resistance, high switching frequency, high heat resistance, and high thermal conductivity. Kaluwihan kasebut bisa kanthi efektif nyuda kerugian energi kanthi efektif link konversi; Ngurangi volume komponen pasif kayata induktor lan kapasor, nyuda bobot lan biaya modul tenaga; Ngurangi syarat Dissipation panas, Sederhana sistem manajemen termal, lan nambah tanggapan sing dinamis kontrol motor. Mangkono ningkatake sawetara pelayaran, kecepatan ngisi, lan pengalaman nyopir saka eV. Piranti semikonduktor Carbide Carbide Carmonduktor bisa ditrapake kanggo macem-macem komponen ev, kalebu drive motor, pangisi daya dc / dc, kompresor ptc udhara, lan relay pra-ngisi. Saiki, piranti tenaga karbida karbida utamane digunakake ing drive motor, Obs lan DC / DC modules adhedhasar silikon, sing bisa nyuda kendaraan tenaga tradisional, sing bisa nyuda output kendharaan kanthi 10%, lan ndhukung output daya sing dhuwur ing lingkungan daya sing dhuwur. Ing babagan OGC, modul listrik bisa ngowahi kekuwatan AC eksternal menyang DC DOGN kanggo ngisi baterei. Modul daya silikon karetida bisa nyuda kerugian kanthi jumlah 40%, entuk kacepetan kanthi cepet, lan ningkatake pengalaman pangguna. Ing babagan konverter DC / DC, fungsine yaiku ngowahi kekuwatan DC saka baterei DC voltase dhuwur menyang kekuwatan DC sing dhuwur kanggo digunakake dening piranti ing papan. Modul daya silikon karetida nambah efisiensi kanthi nyuda rasa panas lan nyuda kerugian energi kanthi 80% nganti 90%, minimalake pengaruh ing kisaran kendaraan.