Sistem Epi Barel Dipanaskan Induktif kanggo LPE Epitaxy

Yen sampeyan mbutuhake susceptor grafit karo konduktivitas termal ngédap lan sifat distribusi panas, katon ora luwih saka Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System kanggo LPE Epitaxy. Lapisan SiC kemurnian dhuwur menehi proteksi sing unggul ing lingkungan suhu dhuwur lan korosif, dadi pilihan sing cocog kanggo digunakake ing aplikasi manufaktur semikonduktor.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Sistem Epi Barel Induktif Semicorex kanggo LPE Epitaxy minangka pilihan sing cocog kanggo aplikasi manufaktur semikonduktor sing mbutuhake distribusi panas lan konduktivitas termal sing luar biasa. Lapisan SiC sing kemurnian dhuwur lan kapadhetan unggul nyedhiyakake proteksi sing unggul lan sifat distribusi panas, njamin kinerja sing dipercaya lan konsisten sanajan ing lingkungan sing paling tantangan.

Ing Semicorex, kita fokus nyedhiyakake produk sing berkualitas tinggi lan biaya-efektif kanggo para pelanggan. Sistem Epi Barrel sing Dipanasake Induktif kanggo LPE Epitaxy duwe kauntungan rega lan diekspor menyang pasar Eropa lan Amerika. Kita ngarahake dadi mitra jangka panjang, ngirim produk kualitas sing konsisten lan layanan pelanggan sing luar biasa.

Parameter Sistem Epi Barel Dipanaskan Induktif kanggo LPE Epitaxy

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC Î²
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Young	Gpa (4pt bend, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Sistem Epi Barel Dipanasake Induktif kanggo LPE Epitaxy

- Loro-lorone landasan grafit lan lapisan silikon karbida duwe kapadhetan sing apik lan bisa nduwe peran protèktif sing apik ing suhu dhuwur lan lingkungan kerja sing korosif.

- Susceptor dilapisi silikon karbida sing digunakake kanggo pertumbuhan kristal tunggal nduweni flatness permukaan sing dhuwur banget.

- Ngurangi prabédan ing koefisien expansion termal antarane landasan grafit lan lapisan silikon karbida, èfèktif nambah kekuatan iketan kanggo nyegah retak lan delamination.

- Loro-lorone substrat grafit lan lapisan silikon karbida duwe konduktivitas termal sing dhuwur, lan sifat distribusi panas sing apik.

- Titik leleh dhuwur, tahan oksidasi suhu dhuwur, tahan korosi.