Suhu Dhuwur SiC-dilapisi Barrel Susceptor

Nalika nerangake manufaktur semikonduktor, Semicorex Suhu Dhuwur SiC-Coated Barrel Susceptor minangka pilihan utama kanggo kinerja lan linuwih. Lapisan SiC sing bermutu tinggi lan konduktivitas termal sing luar biasa ndadekake bisa digunakake sanajan ing lingkungan suhu dhuwur lan korosif sing paling nuntut.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

The Semicorex High-Temperature SiC-Coated Barrel Susceptor minangka pilihan sing sampurna kanggo pertumbuhan kristal tunggal lan aplikasi manufaktur semikonduktor liyane sing mbutuhake panas dhuwur lan tahan karat. Lapisan silikon karbida menehi proteksi sing unggul lan sifat distribusi panas, njamin kinerja sing dipercaya lan konsisten sanajan ing lingkungan sing paling tantangan.

Ing Semicorex, kita fokus nyedhiyakake susceptor laras SiC-dilapisi suhu dhuwur sing bermutu, larang regane, kita prioritasake kepuasan pelanggan lan menehi solusi sing larang regane. Kita ngarep-arep dadi mitra jangka panjang, ngirim produk sing berkualitas lan layanan pelanggan sing luar biasa.

Parameter saka Suhu Dhuwur SiC-dilapisi Barrel Susceptor

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC Î²
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Young	Gpa (4pt bend, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur saka Suhu Dhuwur SiC-dilapisi Barrel Susceptor

- Loro-lorone landasan grafit lan lapisan silikon karbida duwe kapadhetan sing apik lan bisa nduwe peran protèktif sing apik ing suhu dhuwur lan lingkungan kerja sing korosif.

- Susceptor dilapisi silikon karbida sing digunakake kanggo pertumbuhan kristal tunggal nduweni flatness permukaan sing dhuwur banget.

- Ngurangi prabédan ing koefisien expansion termal antarane landasan grafit lan lapisan silikon karbida, èfèktif nambah kekuatan iketan kanggo nyegah retak lan delamination.

- Loro-lorone substrat grafit lan lapisan silikon karbida duwe konduktivitas termal sing dhuwur, lan sifat distribusi panas sing apik.

- Titik leleh dhuwur, tahan oksidasi suhu dhuwur, tahan korosi.