Barrel Susceptor kanggo Cairan Phase Epitaxy

Yen sampeyan butuh susceptor grafit sing bisa nindakake kanthi andal lan konsisten sanajan ing lingkungan suhu dhuwur lan korosif sing paling nuntut, Semicorex Barrel Susceptor kanggo Liquid Phase Epitaxy minangka pilihan sing sampurna. Lapisan karbida silikon nyedhiyakake konduktivitas termal lan distribusi panas sing apik, njamin kinerja sing luar biasa ing aplikasi manufaktur semikonduktor.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

The Semicorex Barrel Susceptor kanggo Liquid Phase Epitaxy minangka pilihan utama kanggo aplikasi manufaktur semikonduktor sing mbutuhake panas dhuwur lan tahan karat. Lapisan SiC kemurnian dhuwur lan konduktivitas termal sing luar biasa nyedhiyakake proteksi sing unggul lan sifat distribusi panas, njamin kinerja sing dipercaya lan konsisten sanajan ing lingkungan sing paling tantangan.

Susceptor Barrel kanggo Epitaxy Phase Cairan dirancang kanggo entuk pola aliran gas laminar sing paling apik, njamin kerataan profil termal. Iki mbantu kanggo nyegah kontaminasi utawa panyebaran impurities, njamin wutah epitaxial kualitas dhuwur ing chip wafer.

Hubungi kita dina iki kanggo mangerteni sing luwih lengkap babagan Barrel Susceptor kanggo Cairan Phase Epitaxy.

Parameter Susceptor Barel kanggo Epitaxy Phase Cairan

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Susceptor Barrel kanggo Epitaxy Phase Cairan

- Loro-lorone substrat grafit lan lapisan karbida silikon duwe kapadhetan sing apik lan bisa nduwe peran protèktif sing apik ing suhu dhuwur lan lingkungan kerja sing korosif.

- Susceptor dilapisi silikon karbida sing digunakake kanggo pertumbuhan kristal tunggal nduweni flatness permukaan sing dhuwur banget.

- Ngurangi prabédan ing koefisien expansion termal antarane landasan grafit lan lapisan silikon karbida, èfèktif nambah kekuatan iketan kanggo nyegah retak lan delamination.

- Loro-lorone substrat grafit lan lapisan silikon karbida duwe konduktivitas termal sing dhuwur, lan sifat distribusi panas sing apik.

- Titik leleh dhuwur, tahan oksidasi suhu dhuwur, tahan korosi.