SiC Epitaxy

Semicorex nyedhiyakake epitaksi SiC film tipis khusus (silikon karbida) ing substrat kanggo pangembangan piranti silikon karbida.

SiC epitaxy bisa disesuaikan kanggo nyukupi syarat piranti tartamtu kanthi nggabungake dopan utawa tuwuh orientasi kristal sing beda. Doping lapisan epitaxial kanthi impurities kayata nitrogen utawa aluminium ngidini modifikasi sifat listrik, kayata ngontrol konsentrasi operator utawa nggawe persimpangan p-n.

Kualitas lapisan epitaxial SiC ditaksir liwat macem-macem teknik karakterisasi, kalebu difraksi sinar-X, mikroskop elektron scanning, mikroskop gaya atom, lan pangukuran listrik. Teknik kasebut mbantu ngevaluasi struktur kristal, morfologi permukaan, lan kinerja listrik saka lapisan epitaxial.

Semicorex bisa nawakake: SiC epitaxial wafer, GaN epitaxial wafer, Si Epitaxy, SiC wafer, etc.