Sic Epi Wafers

Sikmikoreks SIC EPI Wafers minangka wafer karo lapisan film kristal SIC sing ditanam ing permukaan substrat dening deposisi uap kimia (CVD). Tipe doping, konsentrasi doping lan kekandelan bisa dikendhaleni miturut syarat desain piranti. Iki minangka komponen inti saka area fungsi piranti.

Karakteristik Kunci Sic Epi Wafers

Kinerja saka wafers epiisxial ditemtokake dening karakteristik ing ngisor iki:

Doping Charactertics:

Sic Epi Wafers entuk sifat listrik sing dibutuhake kanthi konsentrasi doping (N-Jenis), lan keseragaman konsentrasi minangka indikator utama.

Kontrol ketebalan:

Miturut syarat desain piranti, kekandelan saka lapisan epitoxial bisa kalebu sawetara mikron kanggo puluhan mikron. Contone, piranti voltase dhuwur mbutuhake lapisan epitacer sing luwih thixial kanggo ndhukung voltase breakdown sing luwih dhuwur.

Kualitas permukaan:

Lumahing flatness saka lapisan epitoxial langsung mengaruhi akurasi manufaktur piranti kasebut. Penyebaran permukaan Nanoskale lan kapadhetan kekurangan kurang minangka syarat utama kanggo wafers epitoxial.

Proses Persiapan Utama SIC EPI Wafers

Produksi wafers epiitoxial utamane liwat teknologi CVD. Sumber Karbon lan Silicon Sumber Gas sing reaksi ing suhu sing dhuwur lan disimpen ing lumahing landasan kanggo mbentuk lapisan epitoxial.

Pengaruh saka proses paramèter:

Suhu, aliran gas, swasana gas, atmosfer lan faktor liyane langsung mengaruhi kekandelan, doping keseragaman lan kualitas permukaan lapisan epitoxial.

Intine Peran Sic Epi Wafers

Wafers Epititaxial main peran sing ditemtokake ing piranti SIC: Minangka area aktif: nyedhiyakake sifat listrik sing dibutuhake, kayata pembentukan saluran saiki utawa pn Junct. Nemtokake kinerja piranti: kayata paramèter utama kayata voltase breakdown lan resistensi.

Aplikasi ing Multiple Wafers SIC EPI

Kendaraan Energi Anyar: Mesin dual-boost kanggo ketahanan lan kinerja

Minangka industri otomotif global nyepetake transformasi kasebut menyang electrasi, optimisasi kinerja kendharaan energi anyar wis dadi fokus kompetisi ing antarane automaker utama. Sic EPI wafers muter peran sing penting banget. Ing komponen inti kendaraan energi anyar - sistem motor, piranti daya adhedhasar silikon Carbide Epitibide Epitalixial cemlorot. Bisa nggayuh tumindak ngalih frekuensi sing luwih dhuwur, nyuda kerugian selektif, lan nambah efisiensi operasi motor. Iki nyuntik sumber kekuwatan sing kuwat menyang mobil, sing ora mung nambah macem-macem pelayaran kendharaan, nanging uga ngidini kendharaan luwih apik miturut syarat-syarat kayata nyepetake lan menek. Contone, sawise sawetara kendaraan listrik kanthi dhuwur ngetrapake modul Daya Silikon Carbide, kisaran nyopir bisa ditambah kanthi 10% - 15%, lan wektu pangisian bisa dipendhet, sing ngasilake luwih apik kanggo pangguna. Ing wektu sing padha, ing babagan sistem konversi ing-papan (OBC) Charger (DC-DC), aplikasi saka caricon Carbide Epitibide Epitibide Carry uga nggawe luwih efisien, lan luwih entheng, lan luwih entheng, lan luwih gampang dioptimalake mobil sakabehe.

Elektronik Daya: Gubernur Gedhung Grid Daya sing cerdas lan efisien

Ing bidang listrik elektronik, SIC EPI Wafers ngewangi pambangunan cerdas grid kanggo nggayuh dhuwur. Piranti listrik tradisional kanthi tradisi mboko sithik mbukak watesan kanggo ngadhepi permintaan sing tuwuh kanggo ngirim daya lan konversi. Wafers Epitakexial Carbide, kanthi voltase dhuwur, suhu dhuwur lan dhuwur-daya, nyedhiyakake solusi sing cocog kanggo upgrade peralatan daya. Ing tautan transmisi tenaga, piranti daya silikon bisa ngirim energi listrik kanthi jarak sing luwih dhuwur kanthi efisiensi energi, amarga bisa nambah kapasitas listrik, mula bisa nambah kapasitas insmismissionmismising, kaya-kaya nambah kapasitas panelusur tenaga lan stabilitas kothak. Ing babagan konversi lan distribusi listrik, panggunaan silikon Carbide Epitoxial Transformer, piranti lowongan kerja sing bisa dikendhaleni, lan priksa daya listrik sing luwih tepat, lan mesthekake sumber daya sing luwih stabil lan produksi industri.