SIC Edge Cincin

Cincin Sikalaman Sikum Sikus, diprodhuksi liwat deposisi uap kimia (CVD) Carbide (SIC), kanthi khusus main peran semikonduktor saka proses pabrikan ing ruangan plasma Etchast. Cincin pinggir kasebut ana ing pinggir njaba chuck electrostatic (ESC) sajrone proses plasma etching lan duwe hubungan estetika lan fungsional kanthi proses wafer.

Ing Sircuit integrasi sarang semikonduktor (IC), distribusi seragam plasma kritis nanging ora cocog kanggo ngasilake asil IB lan IBF ICS liyane. Cincin SIC penting kanggo ngaturake linuwih saka plasma ing pinggiran wafer nalika stabil wates wafer ing kamar tanpa padha karo variabel sing saingan.

Nalika proses plasma etching iki ditindakake ing wafer, wafer bakal kapapar bom saka ion energi dhuwur, kanthi gas reaktif sing disedhuksi kanggo mindhah pola sing langgeng. Kahanan iki nggawe proses kapadhetan energi sing dhuwur sing bisa nyebabake keseragaman lan kualitas penjual wafer yen ora bisa ngatur kanthi bener. Cincin pinggiran bisa ditutup kanthi konteks pangolahan wafer lan minangka generator saka plasma sing electrify wiwit mbabarake tenaga, cincin pinggiran ing pinggir ruangan lan nambahi efisiensi sing efektif ing generator. Pendhapat stabil iki digunakake ing macem-macem cara, kalebu nyuda jumlah bocor plasma lan distorsi cedhak pinggir wates wafer sing bisa nyebabake kegaguan burnout.

Kanthi promosi lingkungan plasma sing seimbang, cincin sik mbantu nyuda efek loading mikro-loading, nyegah luwih saka periphery wafer, lan ngluwihi gaya wafer lan kamar. Iki ngidini pengulangan pengurangan sing luwih dhuwur, suda cacat, lan metrik-key sing paling apik-luwih seragam-kertas ing pabrik semikonduktor kanthi dhuwur.

Discontinume keuangan karo saben liyane, nggawe proses optimisasi ing pinggir wafer luwih tantangan. Contone, pencegahan listrik bisa nyebabake distor morfologi sarung, nyebabake sudut-sudut ing ion kedadeyan kanggo ngganti, saéngga mengaruhi keseragaman antching; Bidang suhu non-seragam bisa mengaruhi tingkat reaksi kimia, nyebabake tingkat etching sing nyimpang saka wilayah tengah. Nanggepi tantangan ing ndhuwur, dandan biasane digawe saka rong aspek: Optimisasi desain peralatan lan penyesuaian parameter parameter.

Cincin fokus minangka komponen utama kanggo nambah keseragaman saka pinggiran wafer Etching. Iki dipasang ing pinggir wafer kanggo nggedhekake wilayah distribusi plasma lan ngoptimalake morfologi sarung. Yen ora ana cincin fokus, prabédan dhuwur ing pinggir wafer lan elektroda nyebabake benda etham ing sudut sing ora seragam.

Fungsi cincin fokus kalebu:

• Nemokake prabédan sing dhuwur ing antarane pinggiran wafer lan elektroda, nggawe sarat sing rata, mesthekake yen ion kasebut ngebomake permukaan wafer kanthi vertikal, lan nyingkiri distorsi etching.

• Ngapikake keseragaman lan nyuda masalah kayata sing berlebihan lan profil etching sing berlebihan utawa miring.

Kaluwihan materi

Panganggone SIC CVD minangka materi dhasar nawakake sawetara kaluwihan kanggo bahan keramik utawa lapisan tradisional. CVD SIC inert kimia, stabil banget, lan tahan banget kanggo erosi plasma, sanajan ing fluorine- lan berbasis khlorine. Kekuwatan mekanik sing apik banget lan stabilitas dimensi njamin urip layanan lan generasi partikel murah ing kahanan muter-suhu sing dhuwur.

Kajaba iku, mikrostruktur ultra-murni lan kenthel nyuda resiko kontaminasi, sing cocog kanggo lingkungan pangolahan sing resik sing resik ing ngendi pangorasi tilak bisa ngasilake asil. Kompatibilitas karo platform ESC sing ana lan geometri ruangan adat ngidini integrasi lancar kanthi alat etching 200mm lan 300mm lan 300mm.