> Kabar > Warta Industri

Warta Industri

Langkah-langkah utama ing pangolahan substrat SiC

Pangolahan substrat 4H-SiC utamane kalebu langkah-langkah ing ngisor iki:

Parameter Kunci Substrat Silicon Carbide (SiC).

Proses produksi Silicon Carbide (SiC) kalebu nyiapake substrat lan epitaksi saka sisih bahan, diikuti desain lan manufaktur chip, kemasan piranti, lan pungkasane, distribusi menyang pasar aplikasi hilir. Ing antarane tahapan kasebut, pangolahan materi substrat minangka aspek sing paling tantangan in......

Waca liyane

Aplikasi Silicon Carbide

Silicon carbide duwe akeh aplikasi ing industri berkembang lan industri tradisional. Saiki, pasar semikonduktor global wis ngluwihi 100 milyar yuan. Dikarepake yen ing 2025, dodolan global bahan manufaktur semikonduktor bakal tekan 39,5 milyar dolar AS, sing pasar semikonduktor karbida silikon sames......

Waca liyane

Pambuka kanggo Proses Implantasi Ion Silicon Carbide lan Annealing

Ing fabrikasi piranti listrik silikon tradisional, difusi suhu dhuwur lan implantasi ion minangka cara utama kanggo ngontrol dopan, saben duwe kaluwihan lan kekurangan. Biasane, difusi suhu dhuwur ditondoi kanthi kesederhanaan, efektifitas biaya, profil distribusi dopan isotropik, lan introduksi ker......

Waca liyane

Cara nyiyapake bubuk SiC

Silicon carbide (SiC) minangka zat anorganik. Jumlah karbida silikon sing ana ing alam cilik banget. Iki minangka mineral langka lan diarani moissanite. Silicon carbide digunakake ing produksi industri biasane artificially disintesis.

Waca liyane

Lapisan Epitaxial: Yayasan Piranti Semikonduktor Lanjut

Ing industri semikonduktor, lapisan epitaxial nduweni peran wigati kanthi mbentuk film tipis kristal tunggal sing spesifik ing ndhuwur substrat wafer, sing sacara kolektif dikenal minangka wafer epitaxial. Utamane, lapisan epitaxial silikon karbida (SiC) sing ditanam ing substrat SiC konduktif ngasi......

Waca liyane

<...10 11 12 13 14...22 >