Ing proses ngembangake kristal tunggal SiC lan AlN kanthi metode transportasi uap fisik (PVT), komponen kayata crucible, wadhah kristal wiji lan cincin panuntun nduweni peran penting. Sajrone proses nyiapake SiC, kristal wiji dumunung ing wilayah suhu sing relatif kurang, dene bahan mentah ing wilay......
Waca liyaneBahan substrat SiC minangka inti saka chip SiC. Proses produksi substrat yaiku: sawise entuk ingot kristal SiC liwat wutah kristal tunggal; banjur nyiapake substrat SiC mbutuhake smoothing, rounding, cutting, grinding (thinning); polishing mekanik, polishing mekanik kimia; lan reresik, testing, etc ......
Waca liyaneSilicon carbide (SiC) minangka bahan sing nduweni stabilitas termal, fisik lan kimia sing luar biasa, sing nuduhake sifat sing ngluwihi bahan konvensional. Konduktivitas termal minangka 84W / (m·K) sing nggumunake, sing ora mung luwih dhuwur tinimbang tembaga nanging uga kaping telu luwih saka silik......
Waca liyaneIng lapangan manufaktur semikonduktor sing berkembang kanthi cepet, sanajan dandan sing paling cilik bisa nggawe bedane gedhe nalika entuk kinerja, daya tahan, lan efisiensi sing optimal. Salah sawijining kemajuan sing ngasilake akeh buzz ing industri yaiku nggunakake lapisan TaC (Tantalum Carbide) ......
Waca liyaneIndustri karbida silikon kalebu rantai proses sing kalebu nggawe substrat, pertumbuhan epitaxial, desain piranti, manufaktur piranti, kemasan, lan tes. Umumé, silikon karbida digawé minangka ingot, sing banjur diiris, digiling, lan dipoles kanggo gawé substrat silikon karbida.
Waca liyaneSilicon carbide (SiC) nduweni aplikasi penting ing wilayah kayata elektronika daya, piranti RF frekuensi dhuwur, lan sensor kanggo lingkungan tahan suhu dhuwur amarga sifat fisikokimia sing apik banget. Nanging, operasi ngiris sajrone pangolahan wafer SiC ngenalake kerusakan ing permukaan, sing, yen......
Waca liyane