Bubuk Silicon Carbide tipe N

Wêdakakêna Silicon Carbide (SiC) Semicorex N-jinis minangka bahan SiC doped kanthi kemurnian dhuwur sing dirancang khusus kanggo aplikasi pertumbuhan kristal sing canggih. Wêdakakêna Silicon Carbide N-jinis iki ditondoi kanthi sifat listrik sing unggul lan integritas struktural, dadi pilihan becik kanggo produksi kristal karbida silikon sing digunakake ing macem-macem piranti semikonduktor kinerja dhuwur.

Wêdakakêna Silicon Carbide N-jinis didoping karo nitrogen (N), sing ngenalake elektron bebas tambahan menyang kisi kristal SiC, nambah konduktivitas listrik. Doping tipe-N iki penting kanggo aplikasi sing mbutuhake sifat elektronik sing tepat. Wêdakakêna Silicon Carbide N-jinis ngalami proses pemurnian sing ketat kanggo nggayuh tingkat kemurnian sing dhuwur, nyuda anané impurities sing bisa mengaruhi proses pertumbuhan kristal lan kinerja produk pungkasan.

Wêdakakêna Silicon Carbide Semicorex N-jinis kasusun saka partikel ukuran sing apik lan seragam sing ningkatake pertumbuhan kristal seragam lan ningkatake kualitas kristal karbida silikon.

Utamane digunakake ing pertumbuhan kristal karbida silikon, bubuk Silicon Carbide tipe N iki minangka integral ing manufaktur piranti elektronik daya dhuwur, sensor suhu dhuwur, lan macem-macem komponen optoelektronik. Uga cocok kanggo digunakake ing riset lan pangembangan ing industri semikonduktor.

Karakteristik

Aplikasi:

Pertumbuhan Kristal Silicon Carbide: Digunakake minangka bahan sumber kanggo ngembangake kristal SiC sing berkualitas tinggi.

Piranti Semikonduktor: Cocog kanggo komponen elektronik kanthi daya dhuwur lan frekuensi dhuwur.

Elektronik Suhu Dhuwur: Cocog kanggo aplikasi sing mbutuhake kinerja sing kuat ing kahanan sing ekstrem.

Optoelektronik: Digunakake ing piranti sing mbutuhake sifat termal lan listrik sing luar biasa.