Lnoi wafer

Film lithium niobate, lebuium niobate (wafers LNOI) nawakake indeks refleksi sing signifikan, ngaktifake wagguides sing signifikan kanggo mbengkongake radiii mung puluhan mikron lan bagean submicron. Iki ngidini integrasi Photon cekak kanthi dhuwur lan kurungan cahya sing kuwat, nambah interaksi ing antarane cahya lan masalah.

Waffers Lnoi bisa disiapake nggunakake macem-macem teknik, kalebu deposisi laser sing puled, metode gel-gel, RF Magnetron Sputtering, lan Dendangan uap kimia, lan dependuan uap kimia. Nanging, Lnoi diprodhuksi saka teknik kasebut asring nuduhake struktur polyCrystalline, sing nyebabake kilap transmisi cahya. Kajaba iku, ana celah sing akeh ing antarane sifat fisik film lan sing siji-Crystal LN, sing negatif mengaruhi kinerja piranti fotronis.

Cara sing paling optimal kanggo nyiyapake wafer Lnoi kalebu kombinasi proses kayata ion implantasi, ikatan langsung, lan anmal film ln saka bahan ln akeh lan transfer menyang landasan. Teknik Grinding lan Polishing uga bisa ngasilake lnoi kualitas tinggi. Pendhapat iki nyuda karusakan ing kisi kristal LN sajrone implantasi ion lan njaga kualitas kristal, yen kontrol kristal, yen kendali ketebalan film kasebut. Waffers Lnoi ora mung nahan properti penting kayata optik electical, acusto-optik, lan karakteristik optik acustoar nanging uga njaga struktur kristal nonlinear nanging uga bisa njaga struktur kristal siji, sing migunani kanggo entuk kerugian transmisi optik sing kurang.

Gelombang optik minangka piranti dhasar ing fotonik terpadu, lan macem-macem cara ana kanggo nyiyapake. Wavguida ing wafer Lnoi bisa ditetepake nggunakake teknik tradisional kayata Proton Exchange. Wiwit LN sacara kimia, supaya materi lan bahan-bahan sing gampang diiseni bisa disimpen ing Lnoi kanggo nggawe loading gelombang gelombang gelombang. Bahan kasebut cocog kanggo loading jalur kalebu TiO2, Sio2, sinx, Ta2O5, kaca chalcogenide, lan silikon. Gelombang Optik Lnoi Digawe Nggunakake Cara Polandia Kimia wis entuk pengaruh panyebaran saka 0,027 DB / cm; Nanging, sidewall gelombang gelombang cethek ngrampungake realisasi gelombang kanthi radii cilik. Waveguide wafer Lnoi, sing disiapake nggunakake cara ETCHING plasma, ngrampungake kerugian transmisi mung 0,027 DB / cm. Iki nggambarake tonggak sejarah sing signifikan, nuduhake integrasi Photon sing gedhe-gedhe lan pangolahan tingkat foton sing bisa diwujudake. Saliyane gelombang gelombang optik, akeh piranti fotonik kinerja sing wis dikembangake ing Lnoi, kalebu resonator mikro-cincin / mikro-disk, mungkasi lan kristal fotronis. Macem-macem piranti fotonik fungsi uga wis digawe kanthi sukses. Werna efek optik electrof lan optik sing luar biasa saka kristal lithium niobate (ln) ngidini modulasi opoelectrectrectrecron sing paling apik, lan generasi campuran sombong optik sing ora bisa dikendhaleni kanthi optik, ing antarane functionalitas fotonik liyane. LN uga nampilake efek acusto-optik. Modul Machlter Optic Acousto-Optic sing disiapake ing Lnoi nggunakake interaksi optomekanik ing film niobate sing ditundha kanggo ngowahi konversi sinyal mikro-optik sing efisien.

Kajaba iku, modulator acousto-optik sing dipasrahake ing film LN ing sadhuwure substrat sapir ngindhari kabutuhan struktur penundaan amarga kacang buncis sapir, sing uga mbantu nyuda bocor energi gelombang akustik. Shifter frekuensi optik sing terintegrasi ing Lnoi nuduhake efisiensi frekuensi sing luwih dhuwur dibandhingake karo film aluminium nitride. Maju uga wis digawe ing laser lan amplifier nggunakake Lnoi Bumi sing langka. Nanging, wilayah sing langka ing wafers Lnoi nampilake panyerapan cahya sing signifikan ing band optik komunikasi, sing nggempur integrasi Photron sing gedhe-gedhe. Njelajah bumi langka lokal sing ora bisa menehi solusi kanggo masalah iki. Amorphous silikon bisa disimpen ing Lnoi kanggo nggawe foto. Resulting-logam-semikonduktor lan foto-foto Metal nuduhake sawijining respon saka 22-37 ma / w saka gelombang saka 635-850 nm. Bebarengan, nggabungake laser lan detektor semikondukif lan detektor III-V ing Lnoi nampilake solusi sing bisa digunakake kanggo ngembangake laser lan detektor ing materi iki. Nanging, proses persiapan wis kompleks lan larang regane, mbutuhake asil kanggo nyuda biaya lan nambah tingkat sukses.