Efektor Akhir kanggo Penanganan Wafer

Efektor Akhir Semicorex kanggo Penanganan Wafer kanthi dimensi sing tepat lan stabil kanthi termal kanggo pangolahan wafer. Kita wis dadi produsen lan pemasok unsur lapisan silikon karbida sajrone pirang-pirang taun. Produk kita duwe kauntungan rega sing apik lan nutupi sebagian besar pasar Eropa lan Amerika. We look nerusake kanggo dadi partner long-term ing China.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Efektor Akhir Semicorex kanggo Penanganan Wafer kanthi dimensi sing tepat lan stabil kanthi termal, nalika duwe film lapisan CVD SiC sing lancar lan tahan abrasi kanggo nangani wafer kanthi aman tanpa ngrusak piranti utawa ngasilake kontaminasi partikel, sing bisa mindhah wafer semikonduktor ing antarane posisi ing peralatan pangolahan wafer lan operator. kanthi tepat lan efisien. Efektor Akhir lapisan silikon karbida (SiC) kemurnian dhuwur kanggo Penanganan Wafer nyedhiyakake tahan panas sing unggul, malah keseragaman termal kanggo ketebalan lan resistensi lapisan epi sing konsisten, lan tahan kimia tahan lama.

Ing Semicorex, kita fokus nyedhiyakake produk sing berkualitas tinggi lan biaya-efektif kanggo para pelanggan. Efektor Akhir kanggo Penanganan Wafer duweni kauntungan rega lan diekspor menyang akeh pasar Eropa lan Amerika. Kita ngarahake dadi mitra jangka panjang, ngirim produk kualitas sing konsisten lan layanan pelanggan sing luar biasa.

Parameter Efektor Akhir kanggo Penanganan Wafer

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC Î²
Kapadhetan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran gandum	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuwatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Young	Gpa (4pt bend, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300