Bagian Tantalum Carbide

Semicorex Tantalum Carbide Part minangka komponen grafit khusus kanthi lapisan TaC sing kuat, dirancang khusus kanggo panggunaan kinerja dhuwur ing aplikasi pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC). Bagean iki direkayasa kanggo nyukupi panjaluk lingkungan suhu dhuwur sing ana gandhengane karo produksi kristal SiC, sing nawakake kombinasi daya tahan, stabilitas kimia, lan resistensi termal sing ditingkatake.

Ing proses manufaktur silikon karbida (SiC), Bagian Tantalum Carbide nduweni peran penting ing tahap pertumbuhan kristal, ing ngendi kontrol suhu sing stabil lan lingkungan kemurnian dhuwur penting. Wutah kristal SiC mbutuhake bahan sing bisa tahan suhu sing ekstrem lan lingkungan korosif tanpa ngrusak integritas struktur utawa ngrusak kristal sing tuwuh. Komponen grafit sing dilapisi TaC cocog kanggo tugas iki amarga sifate unik, ngidini kontrol sing tepat babagan dinamika termal lan menehi kontribusi kanggo kualitas kristal SiC sing optimal.

Keuntungan saka Tantalum Carbide Coating:

Tahan suhu dhuwur:Tantalum carbide nduweni titik lebur ing ndhuwur 3800 ° C, dadi salah sawijining lapisan sing paling tahan suhu sing kasedhiya. Toleransi termal sing dhuwur iki ora ana regane ing proses pertumbuhan SiC, ing ngendi suhu sing konsisten penting.

Stabilitas kimia:TaC nuduhake resistensi sing kuat kanggo bahan kimia reaktif ing setelan suhu dhuwur, nyuda interaksi potensial karo bahan karbida silikon lan nyegah impurities sing ora dikarepake.

Ditingkatake Kekiatan lan Umur:Lapisan TaC nambah umur komponen kanthi nyata kanthi menehi lapisan pelindung sing atos ing substrat grafit. Iki ndawakake umur operasional, nyuda frekuensi pangopènan, lan nyuda downtime, pungkasane ngoptimalake efisiensi produksi.

Tahan Kejut Termal:Tantalum carbide njaga stabilitas sanajan ing owah-owahan suhu kanthi cepet, sing penting ing tahap pertumbuhan kristal SiC ing ngendi fluktuasi suhu sing dikontrol umume.

Potensi kontaminasi sing sithik:Njaga kemurnian materi penting banget ing produksi kristal kanggo mesthekake yen kristal SiC pungkasan ora cacat. Sifat inert TaC nyegah reaksi kimia utawa kontaminasi sing ora dikarepake, nglindhungi lingkungan pertumbuhan kristal.

Spesifikasi Teknis:

Bahan dhasar:Grafit kemurnian dhuwur, mesin presisi kanggo akurasi dimensi.

Bahan Coating:Tantalum carbide (TaC) diaplikasi nggunakake teknik deposisi uap kimia canggih (CVD).

Kisaran Suhu Operasi:Bisa tahan suhu nganti 3800 ° C.

ukuran:Customizable kanggo nyukupi syarat tungku tartamtu.

Kemurnian:Kemurnian dhuwur kanggo njamin interaksi minimal karo bahan SiC sajrone tuwuh.

Semicorex Tantalum Carbide Part stands metu kanggo ketahanan termal lan kimia sing apik banget, khusus kanggo aplikasi wutah kristal SiC. Kanthi nggabungake komponen sing dilapisi TaC sing berkualitas, kita mbantu para pelanggan entuk kualitas kristal sing unggul, efisiensi produksi sing luwih apik, lan nyuda biaya operasional. Percaya karo keahlian Semicorex kanggo nyedhiyakake solusi sing unggul ing industri kanggo kabeh kabutuhan manufaktur semikonduktor sampeyan.