Tantalum Carbide Coated Porous Graphite

Semicorex Tantalum Carbide Coated Porous Graphite minangka inovasi paling anyar ing teknologi pertumbuhan kristal Silicon Carbide (SiC). Semicorex setya nyedhiyakake produk kualitas kanthi rega sing kompetitif, kita ngarepake dadi mitra jangka panjang ing China *.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

SemicorexTantalum Carbide KabCoated Porous Graphite dirancang khusus kanggo ngoptimalake macem-macem aspek proses pertumbuhan kristal SiC, kalebu filtrasi komponen uap, pangaturan gradien suhu lokal, panuntun arah aliran, lan kontrol bocor.

Sifat keropos saka Tantalum Carbide Coated Porous Graphite ngidini filtrasi efektif komponen uap sajrone proses pertumbuhan kristal SiC. Iki mesthekake yen mung bahan sing dikarepake nyumbang kanggo pembentukan kristal, ningkatake kemurnian lan kualitas sakabèhé. Njaga kontrol suhu sing tepat penting banget ing pertumbuhan kristal. Graphite keropos sing dilapisi Tantalum Carbide nambah stabilitas termal lan konduktivitas grafit keropos, ngidini pangaturan gradien suhu lokal sing luwih akurat. Iki ndadékaké kontrol sing luwih apik babagan morfologi kristal lan tingkat pertumbuhan. Desain struktural Tantalum Carbide Coated Porous Graphite, digabungake karo lapisan TaC, nggampangake aliran bahan sing dipandu. Iki mesthekake yen bahan dikirim persis ing ngendi perlu, ningkatake wutah kristal seragam lan nyuda kemungkinan cacat. Kontrol kebocoran materi sing efektif penting kanggo njaga integritas lingkungan pertumbuhan. TheTantalum Carbide Coated Porous Graphite nyedhiyakake sifat sealing sing apik, nyegah bocor sing ora dikarepake lan njamin swasana pertumbuhan sing stabil lan dikontrol.

Keuntungan saka Tantalum Carbide Coated Porous Graphite:

Titik lebur dhuwur lan stabilitas termal:TaCnduweni titik leleh sing dhuwur banget (sekitar 3880 ° C) lan stabilitas termal sing apik banget, nggawe Tantalum Carbide Coated Porous Graphite becik kanggo aplikasi suhu dhuwur kayata pertumbuhan kristal SiC.

Inertness Kimia: TaC tahan banget kanggo reaksi kimia, mesthekake yen lapisan tetep utuh lan efektif sanajan ing lingkungan sing agresif.

Ketahanan sing Ditingkatake: Lapisan TaC nambah daya tahan grafit keropos, nambah umur operasional Tantalum Carbide Coated Porous Graphite lan nyuda kabutuhan penggantian sing asring.

Porositas Tinggi: Porositas grafit sing dhuwur ngidini filtrasi lan kontrol aliran sing efisien, penting kanggo pertumbuhan kristal sing berkualitas tinggi.

Entheng lan Kuwat: Grafit keropos iku entheng lan kuwat sacara mekanis, saengga gampang ditangani lan bisa nahan kaku proses pertumbuhan kristal.

Konduktivitas Termal: Konduktivitas termal grafit sing apik banget njamin distribusi panas sing efisien, penting kanggo njaga gradien suhu sing konsisten.

Semicorex Tantalum Carbide Coated Porous Graphite nggambarake kemajuan sing signifikan ing bahan pertumbuhan kristal SiC. Kanthi nggabungake sifat unik TaC kanthi kaluwihan grafit keropos, materi iki nyedhiyakake kinerja sing unggul ing filtrasi komponen uap, pangaturan gradien suhu, panuntun arah aliran, lan kontrol bocor. Stabilitas termal sing kuat, inertness kimia, lan daya tahan sing luwih apik ndadekake aset sing ora bisa ditemokake kanggo nggayuh kristal SiC sing berkualitas.