Plat Penerima

Semicorex Susceptor Plate minangka komponen penting ing proses pertumbuhan epitaxial, sing dirancang khusus kanggo nggawa wafer semikonduktor sajrone deposisi film utawa lapisan tipis. Ing konteks Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), piring kasebut utamane digawe saka bahan sing bisa tahan suhu dhuwur lan nyedhiyakake permukaan sing stabil kanggo pertumbuhan lapisan epitaxial.

Plat Susceptor sing digunakake ing proses iki digawe saka grafit sing dilapisi silikon karbida (SiC) liwat proses MOCVD dhewe. Silicon carbide nawakake stabilitas termal ngédap, kekuatan mechanical, lan resistance kanggo reaksi kimia, dadi pilihan becik kanggo kahanan nuntut wutah epitaxial.

Sajrone MOCVD, Plat Susceptor nduweni peran penting kanthi efektif nransfer panas menyang wafer semikonduktor. Piring nyerep energi saka lingkungan sekitar lan mancarake menyang wafer, nggampangake deposisi film tipis sing dikontrol menyang permukaan wafer. Kontrol suhu sing tepat iki penting kanggo entuk lapisan epitaxial sing seragam lan berkualitas, sing penting banget kanggo ngasilake piranti semikonduktor canggih.

Plat Susceptor ing proses MOCVD, sing kasusun saka grafit sing dilapisi SiC, dadi platform sing dipercaya kanggo ndhukung wafer semikonduktor, njamin transfer panas sing optimal, lan nyumbang kanggo pertumbuhan epitaxial film tipis kanthi karakteristik sing dikarepake kanggo aplikasi semikonduktor.