SIC lapisan warata

Sisih lapisan semiorex sic lapisan semudoreks minangka komponen grafit sing ditutupi kanthi dhuwur sing dirancang kanggo proses epitexy sic. Fungsi utama yaiku nggampangake konduksi airflow seragam lan njamin distribusi gas sing konsisten sajrone tahap pertumbuhan epitisme, nggawe komponen pabrik Sik Sikikonduktor. Milih semikoreks njamin solusi sing unggul lan rekinipasi sing unggul kanggo industri semikonduktor.

Pelapisan sic nyedhiyakake resistensi luar biasa kanggo suhu sing dhuwur, karat kimia, lan deformasi termal, njamin kinerja sing dawa ing nuntut lingkungan sing langgeng. Basis grafit nambah integritas struktural komponen, dene lapisan SIC seragam njamin kritis permukaan sing dhuwur saka murni kanggo proses epitisme sing sensitif. Gabungan bahan iki ndadekake lapisan lapisan sic iki minangka solusi sing bisa dipercaya kanggo nggayuh lapisan epitoxial seragam lan ngoptimalake efisiensi produksi sakabehe.

Konduktivitas termal lan stabilitas grafabilitas sing apik nyedhiyakake kaluwihan sing signifikan minangka komponen ing peralatan EPitAxial. Nanging, nggunakake grafit murni mung bisa nyebabake sawetara masalah. Sajrone proses produksi, gas sing bisa diombe lan residu logam-organik bisa nyebabake pangkalan grafit kasebut bisa nyebabake corot lan rusak, signifikan nyuda urip layanan. Kajaba iku, ana bubuk grafit sing tiba bisa ngrusak chip, sing penting kanggo ngatasi masalah kasebut sajrone persiapan pangkalan.

Teknologi lapisan bisa nyuda masalah kasebut kanthi ndandani bubuk permukaan, nambah konduktivitas termal, lan distribusi panas sing ngimbangi. Teknologi iki penting kanggo njamin daya tahan saka pangkalan grafit kasebut. Gumantung ing lingkungan aplikasi lan syarat panggunaan tartamtu, lapisan permukaan kudu duwe karakteristik ing ngisor iki:

1. Kapadhetan dhuwur lan jangkoan lengkap: Dasar grafit kasebut mlaku kanthi suhu sing dhuwur, lingkungan korosif lan kudu ditutupi. Lapisan kudu padhet kanggo nyedhiyakake perlindungan sing efektif.

2 .. Dataran lumahing sing apik: Dasar grafit sing digunakake kanggo pertumbuhan kristal tunggal nuntut flatness lumahing sing dhuwur banget. Mula, proses lapisan kudu njaga flatness asline saka dhasar, mesthekake yen lumahing lapisan kasebut seragam.

3. Kekuwatan ikatan sing kuwat: kanggo nambah ikatan antarane pangkalan grafit lan bahan lapisan, penting kanggo nyuda prabédan ing koefisien ekspansi termal. Peningkatan iki mesthekake yen lapisan tetep tetep sanajan sawise ngalami siklus termal suhu sing kurang.

4. Konduktivitas termal dhuwur: kanggo wutah chip sing optimal, basis grafit kasebut kudu menehi distribusi panas panas lan seragam. Akibate, bahan lapisan kasebut kudu duwe konduktivitas termal sing dhuwur.

5. Titik lan resistensi dhuwur kanggo oksidasi lan karat: lapisan kudu bisa tumindak kanthi lingkungan sing dhuwur lan lingkungan.

Kanthi fokus ing karakteristik utama, umur dawa lan kinerja komponen adhedhasar grafit ing peralatan EPitAxial bisa uga apik.

Kanthi teknik manufaktur maju, seméjax ngirim desain khusus kanggo nyukupi syarat proses tartamtu. Bagian cilik lapisan sic kanthi kaku banget kanggo akurasi dimensi lan kekiatan, nggambarake komitmen semikorexs kanggo luwih apik ing bahan semikonduktor. Apa digunakake ing produksi massa utawa setelan riset, komponen iki njamin kontrol sing tepat lan ngasilake dhuwur ing aplikasi epitoiksi SIC.