Plate Colated Sic

Plate Colated Sicorex SIC minangka komponen kinerja dhuwur sing dirancang khusus kanggo peralatan pertumbuhan Epititaxial (EPI), sing mbutuhake substrat sing stabil, dhuwur kanggo nggawe film bermutu tinggi. Iki minangka inti grafit sing dhuwur, lan dilapisi kanthi seragam karo silikon karbida (SIC), entuk aksara grafit termal lan mekanik sing ora cocog karo stabilitas kimia lan daya tahan lumahing SIC. Piring ditutupi semasionalex SIC dibangun kanggo nyengkuyung rigor ekstrem saka proses epitoxial kanggo senyawa semikonduktor kalebu SIC lan Gan.

Inti grafit saka piring sing dilapisi SIC duwe konduktivitas termal, Kapadhetan sing kurang, lan resistensi kejutan termal sing unggul. Jisim termal sing entheng saka imbangan inti grafit sing seimbang kanthi konduktivitas termal sing apik ngidini kanggo nyebarake panas kanthi rata-rata ing proses sing ditindakake kanthi kecepatan suhu. Lapisan njaba SIC Depositake dening deposisi uap kimia (CVD), nawakake alangan pelindung sing nambah kekerasan, lan inertance kimia, nawakake watesan kanthi watesan utawa nyegah generasi partikel. Lumahing unsur sing kuat iki digabungake karo karakteristik fisik dhasar dhasar grafit, njamin lingkungan proses kemurnian sing dhuwur banget kanthi sithik utawa ora ana risiko generasi cacat ing lapisan epitoxial.

Dimensiabel lan lumahing flatness dimensi uga penting banget babagan sifate lapisan sic. Saben piring mesin lan dilapisi kanthi toleransi sing kenceng supaya njamin keseragaman lan mbaleni maneh ing kinerja proses. Lumahing lan gangguan sing lancar nyuda situs inti kanggo deposisi film sing ora dikarepake lan nambah keseragaman wafer ing lumahing piring.

Ing reaktor epituarxial, piring-piring sing dilapisi biasane ditindakake minangka susceptor, liner, utawa tameng termal kanggo menehi struktur lan tampil minangka medium transfer panas kanggo ngasilake penerjemah sing diproses. Kinerja stabil bakal mengaruhi kualitas kristal, ngasilake, lan produktivitas.