Quartz Crucible kanggo Silicon Crystal tunggal narik

Semikorex Quartz Cracible kanggo Silicon Crystal Pulls Crystal yaiku komponen inti ing pabrik wafer. Panggilan persiyapan tunggal sing nemtokake paramèter teknis, kayata diameter kristal, jinis doping, konsentrasi oksigen lan karbon, lan cacat kotorasi silikon. Iki mbutuhake cacat mikro, konsentrasi oksigen, impurities logam, lan keseragaman konsentrasi operator kabeh dikendhaleni ing sawetara tartamtu.

Ing proses pertumbuhan kristal tunggal czochralski, kuarza krincing kanggo cerdas Crystal tunggal sing kudu tahan suhu sing luwih dhuwur tinimbang silikon leleh (1420 ℃). Kuarsa kwarsa biasane tembus lan dumadi saka pirang-pirang lapisan.

Lapisan njaba minangka wilayah kanthi kapadhetan gelembung sing dhuwur, sing diarani lapisan komposit gelembung; Lapisan batin yaiku lapisan transparan 3-5mm, sing diarani lapisan pengembangan gelembung. Ngarsane lapisan pengembangan gelembung nyuda kapadhetan kontak kontak solusi sing bisa, saéngga ningkatake pertumbuhan kristal siji.

Wiwit lapisan jero kuarsa kuarza sing bisa kontak karo Cairan silikon, bakal terus-terusan bubar dadi silikon, lan gelembung mikro ing lapisan transparan sing bisa tuwuh lan ngeculake gelombang kuarsa lan umpluk mikro. Pendhaftaran iki banjur mili liwat silikon silikon kabeh, langsung mengaruhi kristalisasi lan kualitas kristal silikon.

Kuarsa KuarsaKanggo silikon Crystal Crystal narik kontak kanthi cairan silikon, saéngga ora bisa dikendhaleni ing proses produksi, malah gagal kanggo narik lan ngrusak bahan / limbah. Amarga wafers silikon tunggal, mbutuhake kesucian sing dhuwur lan biaya proses narik kawigaten, ana panjaluk kuarza sing tunggal Crystal kanggo kemurnian, kinerja gelembung, lan stabilitas kualitas.

Regedities: impurities mengaruhi kinerja lan ngasilake kristal tunggal. Mula, konten sing ora bener sakaKuarsaKasepakatan sing ana ing kontak langsung karo silikon cair iku wigati. Keberat sing gedhe banget ing salib kasebut asring nyebabake kristalisasi ing kuarsa krenjang (akumulasi lokal es sing ora bisa dikurangi kanggo viscositas suda). Yen kristalisasi cedhak karo permukaan utama, lapisan kristalisasi lokal sing kakehan saya rawan, nyegah pertumbuhan tunggal kristal; Yen bentuk lapisan kristalisasi sing kandel ing tembok njaba, bulging ing ngisor utawa lengkungan bisa kedadeyan; Yen kristalisasi nembus awak sing caket, bisa gampang nyebabake macem-macem akibat serius kayata bocor silikon.

Gelembung: wedhi kuarsi dhuwur-murni dhewe ngemot inklusions gas-cairan. Sajrone proses narik kristal, permukaan batin sing ana hubungane karo silikon terus larut menyang silikon silikon.  Gelembung mikro ing lapisan transparan kanthi terus tuwuh, lan umpluk sing paling cedhak karo pecah permukaan sing paling apik, ngeculake partikel mikro lan gelembung mikro menyang silikon silikon. Kecukupan ing partikel mikro iki lan umpluk mikro digawa ing saindenging silikon silikon, langsung mengaruhi kristalisasi silikon (tarif pemukiman, lan sapiturute) lan kualitas wafers, chip ireng, lan sapiturute).