PBN Crucibles

Boron Pilyn Semikoreks Boron Nitridet PBN minangka komponen sing dirancang presisi sing dirancang kanggo nyukupi panjaluk proses sing paling dhuwur ing industri kayata pabrik semikonduktor, pertumbuhan kristal, lan aplikasi vakum. Damel liwat proses vapor kimia (CVD), PBN calon nawakake kesucian sing luwih apik, stabilitas termal sing luar biasa, lan dadi bahan kimia sing pinunjul, nggawe material bahan kanggo majeng.

Wiwit Boron Nitride duwe koefisi ekspansi termal sing dibandhingake karo kwartz, nanging konduktivitas termal yaiku 10 kaping sing termal, lan bisa ngusir risiko amarga owah-owahan suhu kanthi cepet ing 20 ~ 1200 ℃ tanpa masalah. Kajaba iku, Boron Nitride ora reaksi karo asam, alkali, logam, lan duwe logam mekanik rendah, mung rada luwih dhuwur tinimbang suhu pangolahan logam. Mula, pancen cocog kanggo digunakake minangka caket, kapal, pipa pangiriman logam cair lan cetakan kanggo metal baja kanggo lebur logam lebur lan penguasa.

Biasane digawe dening deposisi uap kimia nggunakake gas-ngemot boron (BCL3 utawa B2H6) minangka bahan mentah, nanging amarga B2h6 beracun, BCL3 saiki digunakake minangka bahan mentah. Boron-Boron ngalami pyrolysis (1500 ~ 1800 ℃) lan reaksi karo NH3 ing kamar reaksi suhu dhuwur kanggo mbentuk boron nitrida sing dhuwur kanggo mbentuk boron nitrida sing dhuwur. Amarga pyrolysis ana nalika reaksi kasebut, uga diaraniPyrolytik Boron NitrideCacah (umume dikenal minangka PBN CHACLIBELS).

Proses wutah materi padha karo "salju sing tiba", yaiku, salju salju sing hexagonal thukul ing reaksi kasebut terus-terusan dipasang ing substrat grafit sing digawe panas (cetakan inti). Nalika wektu terus, lapisan klumpukan thickens, mbentuk cangkang pbn. Remiting minangka komponen PBN Murhut, lan lapisan PBN isih ditinggalake. Amarga Crucible PBN ora perlu ngliwati proses sintering sing panas sing panas lan ora perlu nambah agen sindhuh, lan suhu operasi ing ngisor iki, lan suhu operasi ing protasi suasana bisa nganti 2100 derah c (biasane nitrogen utawa °. Umume digunakake ing epitory / Molekuler Beam Epitexy (MBE) / Pertumbuhan Crystal GAA lan tujuan liyane.