- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Kabar
Coating ing lapangan termal saka semikonduktor silikon kristal tunggal
Bagean sing dilapisi ing lapangan panas kristal tunggal semikonduktor silikon umume dilapisi kanthi metode CVD, kalebu lapisan karbon pirolitik, lapisan Silicon Carbide lan lapisan Tantalum Carbide, saben duwe ciri sing beda.
Waca liyane
Ngenalke teknologi inti kapal grafit
Graphite Boat, ngadeg ing ngarep inovasi teknologi ing industrie, nampilake serangkaian kemajuan terobosan sing dirancang kanggo ningkatake kinerja, kemurnian, lan umur. Ing ngisor iki, kita nyelidiki teknologi inti sing nemtokake keunggulan prau grafit:
Waca liyane
Graphite keropos kanggo Pertumbuhan Kristal SiC Kualitas Tinggi kanthi Metode PVT
Silicon Carbide (SiC) wis muncul minangka bahan utama ing bidang teknologi semikonduktor, nawakake sifat luar biasa sing ndadekake banget dikarepake kanggo macem-macem aplikasi elektronik lan optoelektronik. Produksi kristal tunggal SiC sing bermutu penting kanggo ningkatake kemampuan piranti kayata......
Waca liyane
3 cara ngecor grafit
Papat cara ngecor utama kanggo ngecor grafit yaiku: ngecor extrusion, ngecor, ngecor vibratory lan ngecor isostatic. Umume bahan karbon / grafit sing umum ing pasar dibentuk kanthi ekstrusi panas lan cetakan (kadhemen utawa panas), lan cetakan isostatik minangka cara kanthi kinerja cetakan sing ungg......
Waca liyane
Apa grafit isostatik?
Grafit khusus yaiku grafit kanthi fraksi massa karbon luwih saka 99,99%, uga dikenal minangka "telung grafit dhuwur" (kekuwatan dhuwur, kapadhetan dhuwur, kemurnian dhuwur). Punika ditondoi dening kekuatan dhuwur, Kapadhetan dhuwur, kemurnian dhuwur, stabilitas kimia dhuwur, konduktivitas termal lan......
Waca liyane
Introducing Physical Vapor Transport (PVT)
Karakteristik SiC dhewe nemtokake wutah kristal tunggal luwih angel. Amarga ora ana Si: C = 1: 1 fase cair ing tekanan atmosfer, proses pertumbuhan sing luwih diwasa sing diadopsi dening arus utama industri semikonduktor ora bisa digunakake kanggo tuwuh metode sing luwih diwasa-cara narik lurus, cru......
Waca liyane
