Silicon Carbide Wafer Boat

Ing manufaktur semikonduktor, oksidasi kalebu nempatake wafer ing lingkungan suhu dhuwur ing ngendi oksigen mili ngliwati permukaan wafer kanggo mbentuk lapisan oksida. Iki nglindhungi wafer saka impurities kimia, ngalangi arus bocor saka ngetik sirkuit, ngalangi difusi sak implantasi ion, lan ngalangi wafer slippage sak etching, mbentuk film protèktif ing lumahing wafer. Peralatan sing digunakake ing langkah iki yaiku tungku oksidasi. Komponen utama ing ruang reaksi kalebu kapal wafer, pangkalan, tabung liner tungku, tabung tungku njero, lan baffle insulasi panas. Amarga suhu operasi sing dhuwur, syarat kinerja kanggo komponen ing kamar reaksi uga dhuwur.

Ingkapal waferdigunakake minangka operator kanggo transportasi wafer lan Processing. Sampeyan kudu nduweni kaluwihan kayata integrasi dhuwur, linuwih dhuwur, sifat anti-statis, tahan suhu dhuwur, tahan nyandhang, tahan deformasi, stabilitas sing apik, lan umur layanan sing dawa. Wiwit suhu oksidasi wafer kira-kira antarane 800 ℃ lan 1300 ℃, lan syarat kanggo isi impurities metallic ing lingkungan banget ketat, komponen tombol kayata wafer boat kudu ora mung duwe banget termal, mechanical, lan kimia, nanging uga duwe isi impurity metallic banget kurang. Adhedhasar landasan, bisa dipérang dadi prau wafer kuarsa, kapal wafer keramik silikon karbida, lan liya-liyane. Nanging, kanthi kemajuan simpul proses ing ngisor 7nm lan ekspansi jendhela proses suhu dhuwur, prau kuarsa tradisional mboko sithik dadi ora nyukupi babagan stabilitas termal, kontrol partikel, lan manajemen umur. Perahu silikon karbida (SiC) mboko sithik ngganti solusi kuarsa tradisional.

1. Manufaktur Semikonduktor

Ing pangolahan suhu dhuwur saka manufaktur chip, kayata oksidasi, difusi, deposisi uap kimia (CVD), lan implantasi ion, prau SiC digunakake kanggo ndhukung wafer silikon, mesthekake yen wafer tetep warata ing suhu dhuwur lan nyegah misalignment utawa deformasi kisi sing disebabake dening stres termal, saéngga njamin presisi lan kinerja chip.

2. Industri Photovoltaic

Keramik silikon karbida nduweni kekuatan mekanik sing apik, stabilitas termal, tahan suhu dhuwur, tahan oksidasi, tahan kejut termal, lan tahan korosi kimia, lan akeh digunakake ing lapangan populer kayata metalurgi, mesin, energi anyar, lan bahan kimia bahan bangunan. Kinerja kasebut uga cukup kanggo proses termal ing manufaktur fotovoltaik, kayata difusi, LPCVD (deposisi uap kimia tekanan rendah), lan PECVD (deposisi uap kimia plasma) kanggo sel TOPcon. Dibandhingake karo bahan kuarsa tradisional, bahan keramik silikon karbida sing digunakake kanggo nggawe dhukungan prau, prau cilik, lan produk tubular menehi kekuatan sing luwih dhuwur, stabilitas termal sing luwih apik, lan ora ana deformasi ing suhu dhuwur. Umure uga luwih saka kaping lima luwih saka kuarsa, kanthi signifikan nyuda biaya operasi lan mundhut energi amarga downtime pangopènan. Iki nyebabake keuntungan biaya sing jelas, lan bahan mentah kasedhiya.

3. Industri Semikonduktor Generasi Katelu

Ing kamar reaksi deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD), kapal silikon karbida digunakake kanggo ndhukung substrat sapir, tahan lingkungan gas korosif kayata amonia (NH3), ndhukung pertumbuhan epitaxial bahan semikonduktor generasi katelu kayata gallium nitride (GaN), lan ningkatake efisiensi chip LED. Ing wutah kristal tunggal silikon karbida, prau silikon karbida dadi dhukungan kristal wiji ing tungku pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida, tahan lingkungan korosif suhu dhuwur saka silikon molten, nyediakake dhukungan sing stabil kanggo pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida, lan promosi persiapan kristal tunggal silikon karbida sing berkualitas tinggi.

Semicorex nyedhiyakake keramik SiC berkualitas tinggikapal wafer. Produk kita dirancang kanggo nyedhiyakake stabilitas termal sing unggul, umur layanan sing luwih dawa, lan konsistensi proses sing luar biasa. Kanggo solusi khusus utawa informasi teknis tambahan, hubungi tim teknik kita.

Telpon: +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com