Apa wafer SiC tipe P?

A wafer silikon karbida (SiC) tipe Pminangka substrat semikonduktor sing didoping karo impurities kanggo nggawe konduktivitas P-jinis (positif). Silicon carbide minangka bahan semikonduktor amba-bandgap sing nawakake sifat listrik lan termal sing luar biasa, saengga cocog kanggo piranti elektronik kanthi daya dhuwur lan suhu dhuwur.

Ing konteks wafer SiC, "tipe-P" nuduhake jinis doping sing digunakake kanggo ngowahi konduktivitas materi. Doping kalebu kanthi sengaja nglebokake impurities menyang struktur kristal semikonduktor kanggo ngowahi sifat listrike. Ing kasus doping P-jinis, unsur karo elektron valensi kurang saka silikon (bahan dhasar kanggo SiC) dikenalaké, kayata aluminium utawa boron. Kotoran kasebut nggawe "bolongan" ing kisi kristal, sing bisa dadi operator muatan, nyebabake konduktivitas tipe-P.

Wafer SiC tipe-P penting kanggo nggawe macem-macem komponen elektronik, kalebu piranti daya kaya transistor efek medan metal-oksida-semikonduktor (MOSFET), dioda Schottky, lan transistor sambungan bipolar (BJT). Biasane ditanam kanthi nggunakake teknik pertumbuhan epitaxial sing luwih maju lan diproses luwih lanjut kanggo nggawe struktur lan fitur piranti tartamtu sing dibutuhake kanggo macem-macem aplikasi.