Introduksi kanggo telung jinis proses oksidasi

Proses pengoksidasi nuduhake proses nyedhiyakake oksidan (kayata oksigen, beluk banyu) lan energi termal ing silikonWafers, nyebabake reaksi kimia ing antarane silikon lan oksidan kanggo nggawe film Silicon Dioxide (Sio₂) protèktif.

Telung jinis proses oksidasi

Oksidasi 1.Dhidasi:

Ing proses oksidasi garing, waferen ngalami lingkungan suhu sing dhuwur kanggo murni kanggo oksidasi. Oksidasi garing kanthi alon amarga molekul oksigen luwih abot tinimbang molekul banyu. Nanging, mupangate produksi lapisan oksida lancip, amarga tingkat sing luwih alon iki ngidini luwih cetha sajrone kekandelan film kasebut. Proses iki bisa ngasilake film SIOI sing apik, kapadhetan kanthi dhuwur tanpa ngasilake produk sampingan sing ora dikepengini kaya hidrogen. Cocog kanggo produksi lapisan oksida tipis ing piranti sing mbutuhake kontrol sing tepat babagan ketebalan lan kualitas oksida, kayata oksida mosfet.

2.WET oksidasi:

Oksidasi udan dioperasikake kanthi mbukak silikon wafers menyang uap banyu suhu sing dhuwur, sing nyebabake reaksi kimia ing antarane silikon lan beluk kanggo mbentuk silikida dioksida (sio₂). Proses iki ngasilake lapisan oksida kanthi seragam lan kapadhetan lan ngasilake produk sing ora disenengi kayata H₂, sing biasane ora digunakake ing proses inti. Iki amarga tingkat pertumbuhan film oksida luwih cepet amarga reaktivitas uap banyu luwih dhuwur tinimbang oksigen murni. Mula, oksidasi udan biasane ora digunakake ing proses proses manu pabrik semikonduktor.

Oksidasi 3.RotIDasi:  

Ing proses oksidasi radikal, wafer silikon digawe panas nganti suhu sing dhuwur, ing endi titik atom oksigen lan molekul hidrogen sing digabungake kanggo mbentuk gas radikal gratis. Gas-gas iki reaksi karo wafer silikon kanggo mbentuk film SIOI.

Kauntungane dhuwur reaktivitas: Bisa mbentuk film seragam ing wilayah sing angel banget (kayata. Iki ndadekake cocog kanggo nggawe struktur kompleks kaya semikonduktor 3D sing njaluk kanthi seragam kanthi film oksida kanthi kualitas tinggi.