Reseptor Epitaksi MOCVD

Kaluwihan kanggo Aplikasi Epitaxy Nuntut:

Kemurnian Ultra-High:Ing MOCVD Epitaxy Susceptor digawe kanggo nggayuh tingkat kemurnian sing dhuwur banget, nyuda risiko impurities sing ora dikarepake digabung menyang lapisan epitaxial sing saya akeh. Kemurnian luar biasa iki penting kanggo njaga mobilitas operator sing dhuwur, entuk profil doping sing optimal, lan pungkasane, nyadari piranti semikonduktor kanthi kinerja dhuwur.

Resistensi Kejut Termal sing luar biasa:MOCVD Epitaxy Susceptor nyedhiyakake resistensi sing luar biasa kanggo kejut termal, tahan owah-owahan suhu kanthi cepet lan gradien sing ana ing proses MOCVD. Stabilitas iki njamin kinerja sing konsisten lan dipercaya sajrone fase pemanasan lan pendinginan sing kritis, nyuda risiko bowing wafer, cacat sing disebabake stres, lan gangguan proses.

Ketahanan kimia sing unggul:MOCVD Epitaxy Susceptor nduduhake resistensi luar biasa kanggo macem-macem gas reaktif lan bahan kimia sing digunakake ing MOCVD, kalebu produk sampingan korosif sing bisa dibentuk ing suhu sing luwih dhuwur. Inertness iki nyegah kontaminasi lapisan epitaxial lan njamin kemurnian materi semikonduktor sing disimpen, kritis kanggo entuk sifat listrik lan optik sing dikarepake.

Kasedhiyan ing Completex wangun: The MOCVD Epitaxy Susceptor bisa sabenere machined menyang wangun Komplek lan geometris kanggo ngoptimalake dinamika aliran gas lan uniformity suhu ing reaktor MOCVD. Kapabilitas desain khusus iki ngidini pemanasan seragam saka wafer substrat, nyuda variasi suhu sing bisa nyebabake pertumbuhan epitaxial lan kinerja piranti sing ora konsisten.