LPE SiC-Epi Setengah Bulan

Kanthi nglindhungi komponen peralatan, nyegah kontaminasi, lan njamin kahanan proses sing konsisten, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon nguatake industri semikonduktor kanggo ngasilake piranti sing luwih canggih lan kinerja dhuwur sing nguwasani jagad teknologi kita.

Akeh bahan sing ngalami degradasi kinerja ing suhu sing luwih dhuwur, nanging ora CVD TaC. LPE SiC-Epi Halfmoon, kanthi stabilitas termal sing luar biasa lan tahan kanggo oksidasi, tetep kuwat kanthi struktur lan inert kimia sanajan ing suhu dhuwur sing ditemokake ing reaktor epitaksi. Iki njamin profil pemanasan sing konsisten, nyegah kontaminasi saka komponen sing rusak, lan mbisakake pertumbuhan kristal sing dipercaya. Ketahanan iki asale saka titik leleh dhuwur TaC (luwih saka 3800 ° C) lan tahan kanggo oksidasi lan kejut termal.

Akeh pangolahan epitaxial ngandelake gas reaktif kaya silane, amonia, lan metalorganik kanggo ngirim atom konstituen menyang kristal sing tuwuh. Gas kasebut bisa banget korosif, nyerang komponen reaktor lan duweni potensi ngrusak lapisan epitaxial sing alus. LPE SiC-Epi Halfmoon ngadeg nglawan ancaman kimia. Inertness gawan kanggo gas reaktif l Asal-Usul saka ikatan kimia kuwat ing kisi TaC, nyegah gas iki saka reaksi utawa nyebar liwat lapisan. Ketahanan kimia sing luar biasa iki ndadekake LPE SiC-Epi Halfmoon bagean penting kanggo nglindhungi komponen ing lingkungan pangolahan kimia sing atos.

Gesekan minangka mungsuh efisiensi lan umur dawa. Lapisan CVD TaC saka LPE SiC-Epi Halfmoon tumindak minangka tameng indomitable marang nyandhang, nyata nyuda koefisien gesekan lan minimalake mundhut materi sak operasi. Ketahanan nyandhang sing luar biasa iki penting banget ing aplikasi stres dhuwur, sanajan nyandhang mikroskopis bisa nyebabake degradasi kinerja sing signifikan lan gagal prematur. LPE SiC-Epi Halfmoon unggul ing arena iki, nawakake jangkoan konformal sing luar biasa sing njamin malah geometri sing paling kompleks nampa lapisan sing lengkap lan protèktif, nambah kinerja lan umur dawa.

Ical wis dina nalika CVD TaC kemul diwatesi kanggo cilik, komponen khusus. Kemajuan teknologi deposisi wis bisa nggawe lapisan ing substrat nganti diameter 750 mm, menehi dalan kanggo komponen sing luwih gedhe lan luwih kuat sing bisa nangani aplikasi sing luwih akeh.

Part Halfmoon 8-inch kanggo Reaktor LPE

Kauntungan saka Coatings CVD TaC ing Epitaxy:

Kinerja Piranti sing Ditingkatake:Kanthi njaga kemurnian lan keseragaman proses, lapisan CVD TaC nyumbang kanggo tuwuhing lapisan epitaxial kanthi kualitas sing luwih dhuwur kanthi sifat listrik lan optik sing luwih apik, ndadékaké kinerja sing luwih apik ing piranti semikonduktor.

Tambah Throughput lan Ngasilake:Umur lengkap komponen sing dilapisi CVD TaC nyuda downtime sing digandhengake karo pangopènan lan panggantos, sing ndadékaké uptime reaktor sing luwih dhuwur lan tambah throughput produksi. Kajaba iku, risiko kontaminasi sing suda tegese ngasilake piranti sing bisa digunakake.

Efektivitas biaya:Nalika lapisan CVD TaC bisa uga duwe biaya sing luwih dhuwur, umur sing luwih dawa, syarat pangopènan sing suda, lan asil piranti sing luwih apik nyumbang kanggo ngirit biaya sing signifikan sajrone umur peralatan epitaksi.