> Produk > Khusus Grafit > Graphite keropos > Bahan Grafit Poros Kemurnian Tinggi

Produk

Produk Anyar

Bahan Grafit Poros Kemurnian Tinggi

Minangka Produsèn profesional, kita kaya kanggo nyedhiyani sampeyan High-kemurnian keropos Graphite Material. Semicorex nyedhiyakake materi grafit keropos berkualitas tinggi kanthi layanan khusus, kita nawakake grafit keropos spesifikasi dhuwur. Semicorex setya nyedhiyakake produk kualitas kanthi rega sing kompetitif, kita ngarepake dadi mitra jangka panjang ing China.

Kirim Pitakonan

Deskripsi Produk

Materi grafit keropos kanthi kemurnian dhuwur, khusus dicontohake dening grafit keropos Semicorex, minangka puncak ing bahan sing digunakake kanggo pertumbuhan kristal tunggal SiC (Silicon Carbide) ing industri semikonduktor. Materi grafit khusus iki direkayasa kanthi fokus tliti babagan kemurnian sing dhuwur banget lan porositas mbukak sing luar biasa, dadi pilihan sing paling dhuwur kanggo aplikasi sing nuntut ing proses pertumbuhan kristal.

Fitur sing mbedakake grafit keropos Semicorex dumunung ing kemurnian sing ora ana tandhingane, njamin impurities minimal sing bisa kompromi integritas proses manufaktur semikonduktor. Tingkat kemurnian sing dhuwur iki penting kanggo wutah kristal tunggal SiC, amarga sembarang rereged bisa mengaruhi sifat listrik lan struktural saka bahan semikonduktor sing diasilake.

Salajengipun, grafit keropos Semicorex nduweni porositas terbuka sing dhuwur, minangka ciri utama kanggo pertumbuhan kristal sing efisien lan dikontrol. Porositas mbukak nggampangake kontrol aliran gas lan distribusi panas sing tepat sajrone proses pertumbuhan kristal, nyumbang kanggo produksi kristal tunggal SiC sing berkualitas kanthi sifat seragam.

Kualitas paling dhuwur saka materi ngluwihi karakteristik kimia lan fisik. Grafit keropos Semicorex digawe kanthi tliti lan diolah kanggo nyukupi syarat industri semikonduktor sing ketat. Keandalan, konsistensi, lan kinerja dadi pilihan sing disenengi kanggo manufaktur semikonduktor sing melu pertumbuhan kristal tunggal SiC.