Pandhuan Ring

Cincin Pandhuan Semikorex minangka komponen penting ing SIC (Carbide Carbide) Tungku pertunjung pertumbuhan kristal, sing dirancang kanggo ngoptimalake lingkungan pertumbuhan kristal. Cincin pandhuan sing dhuwur banget iki diprodhuksi saka grafit sing gedhe-gedhe lan nampilake CVD negara (depresi uap kimia)lapisan karbida tantalum (tac)Waca rangkeng-. Gabungan saka bahan kasebut njamin daya tahan sing luwih unggul, stabilitas termal, lan resistensi kanggo kimia sing ekstrem lan kahanan fisik.

Bahan lan lapisan

Bahan dhasar cincin pandhuan minangka grafit murni dhuwur, sing dipilih kanggo konduktivitas termal, kekuwatan mekanik, lan stabilitas ing suhu sing dhuwur. Substrat grafit banjur dilapisi nganggo lapisan kariform sing kandhel, seragam karbida nggunakake proses CVD sing maju. Tantalum karbida kondhang amarga kekerasan sing luar biasa, resistensi oksidasi, lan inertness kimia, nggawe lapisan pelindung sing cocog kanggo komponen grafit sing digunakake ing lingkungan grafit sing digunakake ing lingkungan grafit.

Bahan semikonduktor generasi jumeneng sing dituduhake dening Gallium Nitride (Gan) lan silikon karbida (SIC) duwe piranti transmisi mikroflik, lan bisa nyukupi kebutuhan sing dhuwur, dhuwur, dhuwur lan piranti elektronik sing tahan radiasi. Mula, dheweke duwe prospek aplikasi sing amba ing lapangan komunikasi ponsel anyar, kendaraan energi anyar, Grids Smart lan LED. Pangembangan lengkap ing industri semikonduktor generasi kanthi cepet mbutuhake breakthroughs ing teknologi inti utama, kemajuan desain lan inovasi piranti, lan resolusi gumantung saka impor.

Njupuk wutah wafer karbida karbida minangka conto, bahan grafit lan bahan komposit karbon ing bahan-bahan lapangan termal angel kanggo proses kompleks sing kompleks (Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, SI₂C) ing 2300 ℃. Ora mung urip layanan sing cendhak, bagean sing beda diganti saben siji nganti sepuluh tungku, lan penyusun lan volatilasi grafit ing suhu sing dhuwur bisa gampang nyebabake cacat karbon kayata inklusi karbon. Supaya njamin tuwuh kristal semikonduktor sing bermutu, lan nimbang biaya produksi peralatan industri, lapisan keramik suhu keramik kanthi suhu sing disiapake, sing nyandhet gangguan sing salah, sing nyandhetake gangguan sing salah lan ningkatake kemurnian kristal. Ing pertumbuhan epitisme saka karbida silikon, susceptor grafon sing dilapisi karbida biasane digunakake kanggo ndhukung lan panas landasan kristal tunggal. Urip layanan isih kudu ditingkatake, lan celengan karbida silikon ing antarmuka kudu di resiki kanthi rutin. Beda,lapisan karbida tantalum (tac)Apa luwih tahan kanggo suasana lan suhu sing dhuwur, lan teknologi inti kanggo "wutah, kekandelan, lan kualitase" kristal sic kasebut.

Yen sic disiapake dening transportasi uap fisik (Pvt), wiji kristal kasebut ana ing zona suhu sing kurang, lan bahan mentah sic ing zona suhu sing cukup dhuwur (ndhuwur 2400 ℃). Materi mentah kanggo ngasilake enem aksi (utamane, ngemot, lan sapiturute), lan bahan fase gas diangkut saka zona suhu sing dhuwur, lan nukleates lan tuwuh dadi kristal siji. Bahan-bahan lapangan panas sing digunakake ing proses iki, kayata cincin, lan winih kristal, kudu tahan suhu sing dhuwur lan ora bakal ngrusak bahan mentah lan kristal sic. Sic lan aln disiapake nggunakake bahan lapangan termal sing ditutupi grafit sing luwih resik, meh ora ana kekurangan, lan cacat sing luwih sithik, lan nitrogen sing luwih sithik (sawise nitahake koh (sawise nambah kualitas kristal. Kajaba iku, tingkat mundhut bobote TAC meh ora nul, penampilan kasebut utuh, lan bisa didaur ulang, sing bisa ningkatake kelestarian lan efisiensi nyiapake kristal tunggal kaya ngono.