CVD TAC Coated Coated Coated Coated Counters

Dering dilapisi semikoreks CVD tAC minangka komponen sing dirancang presisi sing dirancang khusus kanggo proses pertumbuhan kristal, utamane ing sistem pencepan lan czochralski (CZ) (CZ). Fungsi dering ditutupi CVD CVD iki minangka komponen pandhuan aliran-umume diarani "guide guide cincin" utawa "muter peran kritis lan lingkungan termal gas kanthi stabil sajrone fase pertumbuhan kristal.

Njupuk wutah wafer karbida karbida minangka conto, bahan grafit lan bahan komposit karbon ing bahan-bahan lapangan termal angel kanggo proses kompleks sing kompleks (Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, Sic₂, SI₂C) ing 2300 ℃. Ora mung urip layanan sing cendhak, bagean sing beda diganti saben siji nganti sepuluh tungku, lan dialisis lan volarilisasi grafit ing suhu sing dhuwur bisa gampang nyebabake cacat karbon kayata inklusi karbon. Supaya njamin tuwuh kristal semikonduktor sing bermutu, lan nimbang biaya produksi peralatan industri, lapisan keramik suhu keramik kanthi suhu sing disiapake, sing nyandhet gangguan sing salah, sing nyandhetake gangguan sing salah lan ningkatake kemurnian kristal. Ing wutah epitisme karbida saka silikon karbida, silicon karbida dilapisi grafite biasane digunakake kanggo nggawa lan panas substrat kristal tunggal. Urip layanan isih kudu luwih apik, lan celengan karbida silikon ing antarmuka kudu dibersih kanthi rutin. Beda,Lathi (Tac) TantalumApa luwih tahan kanggo obat-obatan atmoseks lan suhu inti, lan teknologi inti kanggo kristal sic kaya "tuwuh, tuwuh kanthi apik".

Tac duwe titik leleh nganti 3880 ℃, lan duwe kekuwatan mekanik, atose, lan resistensi kejut termal; Nduwe stabilitas kimia lan stabilitas termal sing apik kanggo amonia, hidrogen, lan silikon-ngemot silikon kanthi suhu sing dhuwur. Graphite (bahan karbon-karbon) sing dilapisi karo lapisan grafit tradisional tradisional tradisional, lapisan Aerospace, lan sapiturute, ing lapangan Aerospace, lan liya-liyane duwe prospek aplikasi sing amba. Nanging, isih akeh tantangan kanggo nggayuh persiapan sing kandhel, seragam, lan ora flacking ing permukaan grafit lan ningkatake produksi massa industri. Ing proses iki, njelajah mekanisme perlindungan lapisan, inovasi proses produksi, lan saingan karo level asing sing paling penting kanggo tuwuhing kristal semikonduktor katelu.

Proses pvt sic nggunakake set grafiten konvensional lanCVD TAC CoatedCincin kasebut modhél modhél ngerti efek emistivitas babagan distribusi suhu, sing bisa nyebabake owah-owahan tingkat pertumbuhan lan bentuk ingot. Ditampilake manawa cvd dilapisi cvd bakal entuk suhu seragam luwih seragam dibandhingake karo grafit sing ana. Kajaba iku, stabilitas termal lan kimia sing apik banget kanggo nyegah reaksi karbon karo u uap. Akibaté, lapisan tac ndadekake distribusi C / SI ing arah radial luwih seragam.