4 "Galium Oksida Substrat

Semicorex 4" Gallium Oxide Substrates nampilake stabilitas kimia lan termal sing apik banget, njamin kinerja tetep konsisten lan dipercaya sanajan ing kondisi sing ekstrim. Kekuwatan iki penting banget ing aplikasi sing nglibatake suhu dhuwur lan lingkungan reaktif. Plus, 4" Gallium Oxide Substrates njaga transparansi optik sing apik banget. ngliwati sawetara dawa gelombang sing amba saka ultraviolet nganti inframerah, dadi menarik kanggo aplikasi optoelektronik kalebu dioda pemancar cahya lan dioda laser.

Kanthi celah pita antara 4.7 nganti 4.9 eV, Substrat Gallium Oxide 4" ngluwihi Silicon Carbide (SiC) lan Gallium Nitride (GaN) kanthi kekuwatan medan listrik kritis, nganti 8 MV/cm dibandhingake karo 2.5 MV/cm SiC lan GaN's 3.3 MV/cm Properti iki, digabungake karo mobilitas elektron 250 cm²/Vs lan transparansi sing luwih apik kanggo nindakake listrik, menehi Substrat Gallium Oxide 4" ing elektronika daya. Angka prestasi Baliga ngluwihi 3000, kaping pirang-pirang tinimbang GaN lan SiC, nuduhake efisiensi sing unggul ing aplikasi daya.

Semicorex 4" Gallium Oxide Substrat utamané mupangati kanggo digunakake ing komunikasi, radar, aerospace, rel kacepetan dhuwur, lan kendaraan energi anyar. Padha cocok banget kanggo sensor deteksi radiasi ing sektor kasebut, utamane ing daya dhuwur, suhu dhuwur, lan piranti frekuensi dhuwur ing ngendi Ga2O3 nuduhake kaluwihan sing signifikan tinimbang SiC lan GaN.