> Kabar

Kabar

Kesulitan nyiapake substrat SiC

Saiki, tren arah sing paling penting kanggo pangembangan substrat yaiku nggedhekake diameter. Garis produksi massal 6-inci ing pasar SiC global wis diwasa, lan perusahaan-perusahaan terkemuka wis mlebu pasar 8-inci.

Waca liyane

Silicon Carbide Substrat

Proses substrat silikon karbida rumit lan angel digawe. Substrat SiC ngenggoni nilai utama rantai industri, kanthi 47%. Dikarepake yen kanthi ekspansi kapasitas produksi lan paningkatan asil ing mangsa ngarep, samesthine bakal mudhun nganti 30%.

Waca liyane

Ngerti Teknologi Etsa Kering ing Industri Semikonduktor

Saiki, akeh piranti semikonduktor nggunakake struktur piranti mesa, sing biasane digawe liwat rong jinis etsa: etsa udan lan etsa garing. Nalika etsa udan sing prasaja lan cepet nduweni peran penting ing fabrikasi piranti semikonduktor, nduweni kekurangan kayata etsa isotropik lan keseragaman sing k......

Waca liyane

Kaluwihan Keramik Silicon Carbide ing Industri Serat Optik

Keramik silikon karbida nawakake akeh kaluwihan ing industri serat optik, kalebu stabilitas suhu dhuwur, koefisien ekspansi termal sing kurang, ambang kerugian lan karusakan sing sithik, kekuwatan mekanik, resistensi karat, konduktivitas termal sing apik, lan konstanta dielektrik sing sithik. Sifat-......

Waca liyane

Pambuka kanggo Silicon Carbide Power Piranti

Piranti daya silikon karbida (SiC) yaiku piranti semikonduktor sing digawe saka bahan silikon karbida, utamane digunakake ing aplikasi elektronik frekuensi dhuwur, suhu dhuwur, voltase dhuwur lan daya dhuwur. Dibandhingake karo piranti listrik basis silikon (Si), piranti listrik silikon karbida nduw......

Waca liyane

Silicon Carbide Wafer Epitaxy Technology

Silicon Carbide umume nggunakake metode PVT, kanthi suhu luwih saka 2000 derajat, siklus pangolahan sing dawa, lan output sing kurang, saengga biaya substrat Silicon Carbide dhuwur banget.

Waca liyane

<...19 20 21 22 23...37 >