Gan vs SiC

Ana sawetara bahan sing saiki diselidiki, ing antaranesilikon karbidastands metu minangka salah siji sing paling janjeni. Mirip karoGan, iku pamer voltase operasi luwih, voltase risak luwih, lan konduktivitas unggul dibandhingake silikon. Kajaba iku, amarga konduktivitas termal sing dhuwur,silikon karbidabisa digunakake ing lingkungan kanthi suhu sing ekstrim. Pungkasan, ukurane luwih cilik nanging bisa nangani daya sing luwih gedhe.

sanadyanSiCminangka bahan sing cocog kanggo amplifier daya, ora cocog kanggo aplikasi frekuensi dhuwur. Ing sisih liya,Ganminangka bahan sing disenengi kanggo mbangun amplifier daya cilik. Nanging, insinyur ngadhepi tantangan nalika gabungGankaro P-jinis silikon MOS transistor, minangka winates frekuensi lan efficiency sakaGan. Nalika kombinasi iki nawakake kemampuan pelengkap, iki dudu solusi sing cocog kanggo masalah kasebut.

Minangka teknologi maju, peneliti pungkasane bisa nemokake piranti GaN tipe P utawa piranti pelengkap nggunakake teknologi beda sing bisa digabungake karoGan. Nanging nganti dina iku,Ganbakal terus diwatesi dening teknologi wektu kita.

Kemajuan sakaGanteknologi mbutuhake upaya kolaborasi antarane ilmu material, teknik listrik, lan fisika. Pendekatan interdisipliner iki perlu kanggo ngatasi watesan saiki sakaGanteknologi. Yen kita bisa nggawe terobosan ing ngembangake P-jinis GaN utawa nemokake bahan pelengkap sing cocok, ora mung bakal ningkatake kinerja piranti basis GaN nanging uga nyumbang kanggo bidang teknologi semikonduktor sing luwih jembar. Iki bisa mbukak dalan kanggo sistem elektronik sing luwih efisien, kompak, lan dipercaya ing mangsa ngarep.