Peralatan LPE

Ing alam fabrikasi piranti semikonduktor, kontrol pertumbuhan kristal sing tepat penting kanggo entuk piranti sing berkualitas lan dipercaya. Salah sawijining teknik sing nduwe peran penting ing domain iki yaiku Liquid-Phase Epitaxy (LPE).

Prinsip Dasar LPE:

Epitaxy, umume, nuduhake pertumbuhan lapisan kristal ing substrat kanthi struktur kisi sing padha. LPE, teknik epitaxial sing misuwur, kalebu nggunakake solusi supersaturated saka materi sing bakal ditanam. Substrat, biasane kristal tunggal, digawa menyang kontak karo solusi iki kanggo wektu tartamtu. Nalika konstanta kisi saka substrat lan materi sing bakal ditanam dicocogake, materi kasebut precipitates menyang substrat nalika njaga kualitas kristal. Proses iki nyebabake pembentukan lapisan epitaxial sing cocog karo kisi.

Peralatan LPE:

Sawetara jinis aparat wutah wis dikembangake kanggo LPE, saben menehi kaluwihan unik kanggo aplikasi tartamtu:

Tipping Furnace:

Substrat diselehake ing salah sawijining ujung prau grafit ing jero tabung kuarsa.

Solusi kasebut dumunung ing ujung liyane saka prau grafit.

A thermocouple sing disambungake menyang prau ngontrol suhu tungku.

Aliran hidrogen liwat sistem nyegah oksidasi.

Tungku alon-alon tipped kanggo nggawa solusi menyang kontak karo substrate.

Sawise tekan suhu sing dikarepake lan nambah lapisan epitaxial, tungku bali menyang posisi asline.

Tungku vertikal:

Ing konfigurasi iki, substrat dicelupake menyang solusi.

Cara iki nyedhiyakake pendekatan alternatif kanggo tungku tipping, entuk kontak sing dibutuhake ing antarane substrat lan solusi.

Tungku Multibin:

Multiple solusi disimpen ing tong sampah berturut-turut ing piranti iki.

Substrat bisa digawa menyang kontak karo solusi sing beda-beda, saéngga bisa tuwuh kanthi urutan sawetara lapisan epitaxial.

Tungku jinis iki akeh digunakake kanggo nggawe struktur kompleks kaya sing dibutuhake kanggo piranti laser.

Aplikasi LPE:

Wiwit demonstrasi awal ing 1963, LPE wis sukses digunakake ing pabrikan macem-macem piranti semikonduktor senyawa III-V. Iki kalebu laser injeksi, dioda pemancar cahya, photodetector, sel surya, transistor bipolar, lan transistor efek medan. Versatility lan kemampuan kanggo ngasilake lapisan epitaxial sing cocog karo kisi-kisi sing bermutu tinggi ndadekake LPE dadi landasan ing pangembangan teknologi semikonduktor canggih.

Cairan-Phase Epitaxy stands minangka bukti kapinteran lan tliti dibutuhake ing pabrikan piranti semikonduktor. Kanthi mangerteni prinsip pertumbuhan kristal lan nggunakake kemampuan aparat LPE, peneliti lan insinyur bisa nggawe piranti semikonduktor sing canggih kanthi aplikasi saka telekomunikasi nganti energi sing bisa dianyari. Nalika teknologi terus maju, LPE tetep dadi alat penting ing arsenal teknik sing mbentuk masa depan teknologi semikonduktor.

Semicorex nawakake kualitas dhuwurbagean CVD SiC kanggo LPEkaro layanan selaras. Yen sampeyan duwe pitakon utawa butuh rincian tambahan, aja ragu-ragu hubungi kita.

Kontak telpon # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com