Apa susceptor grafit sing dilapisi SiC?

Baki (dasar) sing ndhukung wafer SiC, uga dikenal minangka "tukang gawe, "iku komponen inti saka peralatan manufaktur semikonduktor. Lan apa persis susceptor iki sing nggawa wafer?

Ing proses manufaktur wafer, substrate kudu luwih dibangun kanthi lapisan epitaxial kanggo fabrikasi piranti. Conto khas kalebupemancar LED, sing mbutuhake lapisan epitaxial GaAs ing ndhuwur substrat silikon; ing substrat SiC konduktif, lapisan epitaxial SiC ditanam kanggo piranti kaya SBD lan MOSFET, digunakake ing aplikasi tegangan dhuwur lan saiki dhuwur; ingsubstrat SiC semi-isolasi, Lapisan epitaxial GaN dibangun kanggo mbangun piranti kayata HEMT, digunakake ing aplikasi RF kaya komunikasi. Proses iki gumantung banget ing peralatan CVD.

Ing peralatan CVD, substrate ora bisa langsung diselehake ing logam utawa basa prasaja kanggo deposisi epitaxial, amarga melu macem-macem faktor pengaruh kayata arah aliran gas (horizontal, vertikal), suhu, tekanan, stabilitas, lan mbusak rereged. Mulane, perlu basis ing ngendi substrate dilebokake sadurunge nggunakake teknologi CVD kanggo nyelehake lapisan epitaxial ing substrat. Basis iki dikenal minangka apanrima grafit SiC-dilapisi(uga disebut basa / tray / pembawa).

Susceptor grafit sing dilapisi SiC umume digunakake ing peralatan deposisi uap kimia metalorganik (MOCVD) kanggo ndhukung lan dadi panas substrat kristal tunggal. Stabilitas termal lan keseragaman susceptor grafit sing dilapisi SiC nduweni peran penting kanggo nemtokake kualitas pertumbuhan materi epitaxial, nggawe komponen kritis peralatan MOCVD.

Teknologi MOCVD saiki dadi teknik utama kanggo ngembangake epitaksi film tipis GaN ing produksi LED biru. Nawakake kaluwihan kayata operasi sing gampang, tingkat pertumbuhan sing bisa dikontrol, lan kemurnian dhuwur saka film tipis GaN sing diprodhuksi. Susceptor sing digunakake kanggo pertumbuhan epitaxial film tipis GaN, minangka komponen penting ing njero ruangan reaksi peralatan MOCVD, kudu duwe resistensi suhu sing dhuwur, konduktivitas termal seragam, stabilitas kimia sing apik, lan tahan kanggo kejut termal. Bahan grafit bisa nyukupi syarat kasebut.

Susceptor grafit minangka salah sawijining komponen inti ing peralatan MOCVD lan dadi operator lan pemancar panas kanggo wafer substrat, langsung mengaruhi keseragaman lan kemurnian bahan film tipis. Akibaté, kualitas langsung mengaruhi preparation saka Epi-Wafers. Nanging, sajrone produksi, grafit bisa corrode lan degradasi amarga ana gas korosif lan sisa senyawa metalorganik, kanthi signifikan nyuda umur susceptor grafit. Kajaba iku, bubuk grafit sing tiba bisa nyebabake kontaminasi ing kripik.

Munculé teknologi lapisan nyedhiyakake solusi kanggo masalah iki kanthi nyedhiyakake fiksasi bubuk permukaan, konduktivitas termal sing luwih apik, lan distribusi panas sing seimbang. Lapisan ing permukaan susceptor grafit sing digunakake ing lingkungan peralatan MOCVD kudu nduweni karakteristik ing ngisor iki:

1. Kemampuan kanggo nutupi basa grafit kanthi kapadhetan sing apik, amarga susceptor grafit rentan kanggo korosi ing lingkungan gas korosif.

2. Ikatan sing kuat karo susceptor grafit kanggo mesthekake yen lapisan ora gampang dicopot sawise pirang-pirang siklus suhu dhuwur lan suhu rendah.

3. Stabilitas kimia sing apik kanggo nyegah lapisan dadi ora efektif ing atmosfer suhu dhuwur lan korosif. SiC nduweni kaluwihan kayata tahan korosi, konduktivitas termal sing dhuwur, tahan kanggo kejut termal, lan stabilitas kimia sing dhuwur, saengga bisa digunakake ing atmosfer epitaxial GaN. Salajengipun, koefisien ekspansi termal SiC cedhak banget karo grafit, dadi bahan sing disenengi kanggo nutupi permukaan susceptor grafit.

Semicorex nggawe susceptor grafit sing dilapisi CVD SiC, ngasilake bagean SiC sing disesuaikan, kayata kapal wafer, paddle cantilever, tabung, lsp. Yen sampeyan duwe pitakon utawa butuh rincian tambahan, aja ragu-ragu hubungi kita.

Kontak telpon # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com