Apa SiC epitaxy?

Silicon Carbide (SiC) epitaxy minangka teknologi utama ing bidang semikonduktor, utamane kanggo pangembangan piranti elektronik kanthi daya dhuwur. SiC minangka semikonduktor majemuk kanthi celah pita lebar, sing ndadekake becik kanggo aplikasi sing mbutuhake operasi suhu dhuwur lan voltase dhuwur.

SiC epitaxy minangka proses ngembangake lapisan tipis saka materi kristal ing substrat, biasane silikon, nggunakake teknik deposisi uap kimia (CVD) utawa molekular beam epitaxy (MBE). Lapisan epitaxial nduweni struktur lan orientasi kristal sing padha karo substrat, sing ngidini nggawe antarmuka berkualitas tinggi ing antarane rong bahan kasebut.

SiC epitaxy wis akeh digunakake ing pangembangan elektronika daya, kalebu piranti daya kayata dioda, transistor, lan thyristor. Piranti kasebut digunakake ing macem-macem aplikasi, kayata kendaraan listrik, sistem energi sing bisa dianyari, lan pasokan listrik.

Ing taun-taun pungkasan, ana minat sing akeh babagan pangembangan epitaxy SiC kanggo nggawe piranti kanthi daya dhuwur kanggo aplikasi kayata kendharaan listrik lan sistem energi sing bisa dianyari. Panjaluk piranti kasebut samesthine bakal tuwuh kanthi cepet ing taun-taun sing bakal teka, amarga kabutuhan sistem energi sing luwih efisien lan lestari.

Nanggepi panjaluk kasebut, peneliti lan perusahaan nandur modal ing pangembangan teknologi epitaxy SiC, kanthi fokus kanggo ningkatake kualitas lan nyuda biaya proses kasebut. Contone, sawetara perusahaan ngembangake epitaxy SiC ing substrat sing luwih gedhe kanggo nyuda biaya saben wafer, dene liyane njelajah teknik anyar kanggo nyuda kerapatan cacat.

SiC epitaxy uga digunakake kanggo ngembangake sensor canggih kanggo macem-macem aplikasi, kalebu sensor gas, sensor suhu, lan sensor tekanan. SiC nduweni sifat unik sing cocog kanggo aplikasi kasebut, kayata stabilitas suhu dhuwur lan tahan kanggo lingkungan sing atos.