Apa Teknologi Implantasi Ion Semikonduktor?

Carane ApaImplan Ion KabasiKerja?

Ing manufaktur semikonduktor, implantasi ion kalebu nggunakake akselerator energi dhuwur kanggo nyuntikake atom impuritas tartamtu, kayata arsenik utawa boron, menyangsubstrat silikon. Silicon, dipanggonke ing urutan kaping 14 ing tabel périodik, mbentuk ikatan kovalen kanthi nuduhake papat elektron njaba karo atom tetanggan. Proses iki ngowahi sifat listrik silikon, nyetel voltase ambang transistor lan mbentuk struktur sumber lan saluran.

Sawijining fisikawan tau mikirake efek saka nglebokake atom sing beda menyang kisi silikon. Kanthi nambahake arsenik, sing nduweni limang elektron njaba, siji elektron tetep bebas, nambah konduktivitas silikon lan ngowahi dadi semikonduktor tipe-n. Kosok baline, ngenalake boron, kanthi mung telung elektron njaba, nggawe bolongan positif, ngasilake semikonduktor tipe-p. Cara iki kanggo nggabungake unsur-unsur sing beda menyang kisi silikon dikenal minangka implantasi ion.

Apa Komponen sakaImplantasi Ionpiranti?

Peralatan implantasi ion kasusun saka sawetara komponen utama: sumber ion, sistem akselerasi listrik, sistem vakum, magnet analisis, jalur sinar, sistem pasca-akselerasi, lan ruang implantasi. Sumber ion wigati banget, amarga ngudani elektron saka atom kanggo mbentuk ion positif, sing banjur diekstraksi kanggo mbentuk sinar ion.

Beam iki ngliwati modul analisis massa, kanthi selektif ngisolasi ion sing dikarepake kanggo modifikasi semikonduktor. Sawise analisis massa, sinar ion kemurnian dhuwur difokus lan dibentuk, dicepetake menyang energi sing dibutuhake, lan dipindai kanthi seragamsubstrat semikonduktor. Ion-energi dhuwur nembus materi, semat menyang kisi, sing bisa nggawe cacat sing migunani kanggo aplikasi tartamtu, kayata ngisolasi wilayah ing chip lan sirkuit terpadu. Kanggo aplikasi liyane, siklus anil digunakake kanggo ndandani karusakan lan ngaktifake dopan, nambah konduktivitas materi.

Apa Prinsip Implantasi Ion?

Implantasi ion minangka teknik kanggo ngenalake dopan menyang semikonduktor, sing nduweni peran penting ing fabrikasi sirkuit terpadu. Proses kasebut kalebu:

Pemurnian Ion: Ion sing diasilake saka sumber, mawa elektron lan nomer proton sing beda-beda, dipercepat kanggo mbentuk sinar ion positif/negatif. Impurities disaring adhedhasar rasio muatan-kanggo-massa kanggo entuk kemurnian ion sing dikarepake.

Injeksi Ion: Sinar ion sing dipercepat diarahake ing sudut tartamtu menyang permukaan kristal target, iradiasi seragamwafer. Sawise penetrating lumahing, ion ngalami tabrakan lan buyar ing kisi, pungkasanipun dumunung ing ambane tartamtu, ngowahi sifat materi. Doping pola bisa digayuh nggunakake topeng fisik utawa kimia, ngidini modifikasi listrik sing tepat ing wilayah sirkuit tartamtu.

Distribusi ambane dopan sing dikarepake ditemtokake dening energi sinar, sudut, lan sifat materi wafer.

Apa Kaluwihan lan WatesanImplantasi Ion?

Kaluwihan:

Wide Range of Dopants: Meh kabeh unsur saka tabel périodik bisa digunakake, karo kemurnian dhuwur menthekake dening pilihan ion pas.

Kontrol sing tepat: Energi lan sudut sinar ion bisa dikontrol kanthi akurat, ngidini distribusi dopan lan distribusi konsentrasi sing tepat.

Fleksibilitas: implantasi ion ora diwatesi dening watesan kelarutan wafer, saéngga konsentrasi sing luwih dhuwur tinimbang cara liya.

Doping Seragam: Doping seragam area gedhe bisa ditindakake.

Kontrol Suhu: Suhu wafer bisa dikontrol sajrone implantasi.

Watesan:

Ambane Cethek: Biasane diwatesi mung siji mikron saka permukaan.

Kesulitan karo Implantasi Cethek Banget: Balok energi rendah angel dikontrol, nambah wektu lan biaya proses.

Kerusakan Lattice: Ion bisa ngrusak kisi, mbutuhake anil pasca-implantasi kanggo ndandani lan ngaktifake dopan.

Biaya Dhuwur: Biaya peralatan lan proses penting.

Kita ing Semicorex spesialisasi ingGraphite / Keramik karo Coating CVD proprietarysolusi ing implantion ion, yen sampeyan duwe pitakon utawa mbutuhake rincian tambahan, aja ragu-ragu hubungi kita.

Kontak telpon: +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com